Проведены исследования наиболее совершенных на данный момент AlInGaN-светодиодов конструкции "UX : 3" с распределенной системой отражающих контактов, расположенных на тыльной стороне излучающего кристалла. Изучены токовые зависимости мощностных и спектральных характеристик, включая их распределение (мэппинг) по излучающей поверхности в широком диапазоне рабочих токов до ~ 30 А. На основе анализа ближнего поля излучения по интенсивности и спектру выявлена высокая однородность плотности тока при всех уровнях возбуждения (отсутствие эффекта "шнурования"). Насыщение оптической мощности и падение квантовой эффективности объясняются только внутренними факторами, которые хорошо описываются ABC-моделью. Ключевые слова: AlInGaN-светодиод, квантовый выход, спектр излучения, мощность излучения, ближнее поле излучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.