"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs для электроабсорбционного модулятора
Гуляев Д.В. 1, Колосовский Д.А. 1, Дмитриев Д.В. 1, Гутаковский А.К. 1, Колосовский Е.А. 1, Журавлев К.С. 1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: gulyaev@isp.nsc.ru, d.kolosovsky@isp.nsc.ru, ddmitriev@isp.nsc.ru, gut@isp.nsc.ru, kolos@isp.nsc.ru, zhur@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 29 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 5 мая 2022 г.
Принята к печати: 17 мая 2022 г.
Выставление онлайн: 10 июня 2022 г.

Исследованы структурные и оптические характеристики гетероструктур с квантовыми ямами InGaAlAs/InAlAs, в которых четверной раствор получен посредством попеременного монослойного роста слоев InAlAs и InGaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что полученные гетероструктуры перспективны для создания электроабсорбционных модуляторов на длину волны 1.55 μm c коэффициентом экстинкции более 20 dB при напряжении менее 4 V. Ключевые слова: электроабсорбционный модулятор, молекулярно-лучевая эпитаксия, квантовые ямы, эффект Штарка.
  1. R. Nagarajan, M. Kato, J. Pleumeekers, P. Evans, S. Corzine, S. Hurtt, A. Dentai, S. Murthy, M. Missey, R. Muthiah, R.A. Salvatore, C. Joyner, R. Schneider, M. Ziari, F. Kish, D. Welch, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 16 (5), 1113 (2010). DOI: 10.1109/JSTQE.2009.2037828
  2. L.M. Augustin, R. Santos, E. den Haan, S. Kleijn, P.J.A. Thijs, S. Latkowski, D. Zhao, W. Yao, J. Bolk, H. Ambrosius, S. Mingaleev, A. Richter, A. Bakker, T. Korthorst, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 24 (1), 6100210 (2018). DOI: 10.1109/JSTQE.2017.2720967
  3. W. Kobayashi, T. Yamanaka, M. Arai, IEEE Photon. Technol. Lett., 21 (18), 1317 (2009). DOI: 10.1109/lpt.2009.2026485
  4. H. Fukano, T. Yamanaka, M. Tamura, J. Lightwave Technol., 25 (8), 1961 (2007). DOI: 10.1109/JLT.2007.901328
  5. K. Kim, D.-S. Shin, J. Opt. Soc. Korea, 11 (3), 133 (2007). DOI: 10.3807/JOSK.2007.11.3.133
  6. W.-J. Choi, A.E. Bond, J. Kim, J. Zhang, R. Jambunathan, H. Foulk, S. O'Brien, J. Van Norman, D. Vandegrift, C. Wanamaker, J. Shakespeare, H. Cao, J. Lightwave Technol., 20 (12), 2052 (2002). DOI: 10.1109/JLT.2002.806756
  7. D. Pasquariello, E.S. Bjorlin, D. Lasaosa, Y.-J. Chiu, J. Piprek, J.E. Bowers, J. Lightwave Technol., 24 (3), 1470 (2006). DOI: 10.1109/JLT.2005.863227
  8. Broadband optical modulators: science, technology, and applications, ed. by A. Chen, E.J. Murphy (CRC Press, 2012)
  9. D.A.B. Miller, D.S. Chemla, S. Schmitt-Rink, Phys. Rev. B, 33 (10), 6976 (1986). DOI: 10.1103/PhysRevB.33.6976
  10. W.-P. Hong, A. Chin, N. Debbar, J. Hinckley, P.K. Bhattacharya, J. Singh, J. Vac. Sci. Technol. B, 5 (3), 800 (1987). DOI: 10.1063/1.100228
  11. J. Singh, S. Dudley, B. Davies, K.K. Bajaj, J. Appl. Phys., 60 (9), 3167 (1986). DOI: 10.1063/1.337730
  12. F. Peiro, A. Cornet, J.R. Morante, S.A. Clark, R.H. Williams, J. Appl. Phys., 71 (5), 2470 (1992). DOI: 10.1063/1.351083
  13. T. Fujii, Y. Nakata, Y. Sugiyama, S. Hiyamizu, Jpn. J. Appl. Phys., 25 (3A), L254 (1986). DOI: 10.1143/JJAP.25.L254
  14. I. Novikov, A. Nadtochiy, A. Potapov, A. Gladyshev, E. Kolodeznyi, S. Rochas, A. Babichev, V. Andryushkin, D. Denisov, L. Karachinsky, A. Egorov, V. Bougrov, J. Lumin., 239, 118393 (2021). DOI: 10.1016/J.JLUMIN.2021.118393
  15. C.L. Chiu, E.Y. Lin, K.Y. Chuang, D.J.Y. Feng, T.S. Lay, Physica B, 404 (8-11), 1226 (2009). DOI: 10.1016/j.physb.2008.11.225
  16. https://www.nextnano.de

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.