Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2021, выпуск 21 » Статья стр. 32
<<<>>>
Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ
DOI: 10.21883/PJTF.2021.21.51626.18894
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.14.52105.18894
Гридчин В.О.1,2, Резник Р.Р.2, Котляр К.П.1,2, Драгунова А.С.1,3, Крыжановская Н.В.1,3, Серов А.Ю.2, Кукушкин С.А.4, Цырлин Г.Э.1,2,5
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
4Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
5Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: gridchinvo@gmail.com
Поступила в редакцию: 1 июня 2021 г.
В окончательной редакции: 12 июля 2021 г.
Принята к печати: 19 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 27 августа 2021 г.
PDF версия
Впервые показана возможность выращивания нитевидных нанокристаллов InGaN с высоким содержанием In на подложках SiC/Si(111) и проведен анализ в сравнении с аналогичными структурами на подложке Si(111). Показано, что выращивание на подложке SiC/Si приводит к формированию нитевидных нанокристаллов InGaN с содержанием In на ~ 10% меньше и большей эффективностью фотолюминесценции (в ~ 5 раз), чем на Si.
  1. H.Q.T. Bui, R.T. Velpula, B. Jain, O.H. Aref, H.-D. Nguyen, T.R. Lenka, H.P.T. Nguyen, Micromachines, 10 (8), 492 (2019). DOI: 10.3390/mi10080492
  2. J. Ramanujam, A. Verma, B. Gonzalez-Di az, R. Guerrero-Lemus, C. del Ca nizo, E. Garci a-Tabares, I. Rey-Stolle, F. Granek, L. Korte, M. Tucci, J. Rath, U.P. Singh, T. Todorov, O. Gunawan, S. Rubio, J.L. Plaza, E. Dieguez, B. Hoffmann, S. Christiansen, G.E. Cirlin, Prog. Mater. Sci., 82, 294 (2016). DOI: 10.1016/j.pmatsci.2016.03.005
  3. I. Ho, G.B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett., 69 (18), 2701 (1996). DOI: 10.1063/1.117683
  4. E. Roche, Y. Andre, G. Avit, C. Bougerol, D. Castelluci, F. Rveret, E. Gil, F. Medard, J. Leymarie, T. Jean, V.G. Dubrovskii, A. Trassoudaine, Nanotechnology, 29 (46), 465602 (2018). DOI: 10.1088/1361-6528/aaddc1
  5. В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов, ФТП, 43 (12), 1585 (2009). [V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov, Semiconductors, 43 (12), 1539 (2009). DOI: 10.1134/S106378260912001X]
  6. M.A. Johar, H.-G. Song, A. Waseem, M.A. Hassan, I.V. Bagal, Y.-H. Cho, S.-W. Ryu, Appl. Mater. Today, 19, 100541 (2020). DOI: 10.1016/j.apmt.2019.100541
  7. В.О. Гридчин, К.П. Котляр, Р.Р. Резник, Л.Н. Дворецкая, А.В. Парфеньева, И.С. Мухин, Г.Э. Цырлин, Письма в ЖТФ, 46 (21), 32 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.21.50194.18463 [V.O. Gridchin, K.P. Kotlyar, R.R. Reznik, L.N. Dvoretskaya, A.V. Parfen'eva, I.S. Mukhin, G.E. Cirlin, Tech. Phys. Lett., 46 (11), 1080 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020110061]
  8. Р.Р. Резник, К.П. Котляр, Н.В. Крыжановская, С.В. Морозов, Г.Э. Цырлин, Письма в ЖТФ, 45 (21), 48 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.21.48475.17975 [R.R. Reznik, K.P. Kotlyar, N.V. Kryzhanovskaya, S.V. Morozov, G.E. Cirlin, Tech. Phys. Lett., 45 (11), 1111 (2019). DOI: 10.1134/S1063785019110129]
  9. H. Chen, P. Wang, H. Ye, H. Yin, L. Rao, D. Luo, X. Hou, G. Zhou, R. Notzel, Chem. Eng. J., 406, 126757 (2021)
  10. T. Tabata, J. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, Phys. Status Solidi C, 9 (3-4), 646 (2012). DOI: 10.1002/pssc.201100446
  11. A. Vajpeyi, A. Ajagunna, K. Tsagaraki, M. Androulidaki, A. Georgakilas, Nanotechnology, 20 (32), 325605 (2009). DOI: 10.1088/0957-4484/20/32/325605
  12. V.O. Gridchin, K.P. Kotlyar, R.R. Reznik, A.S. Dragunova, N.V. Kryzhanovskaya, V.V. Lendyashova, D.A. Kirilenko, I.P. Soshnikov, G.E. Cirlin, Nanotechnology, 32 (33), 335604 (2021). DOI: 10.1088/1361-6528/ac0027
  13. И.П. Сошников, К.П. Котляр, Р.Р. Резник, В.О. Гридчин, В.В. Лендяшова, А.В. Вершинин, В.В. Лысак, Д.А. Кириленко, Н.А. Берт, Г.Э. Цырлин, ФТП, 55 (9), 785 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.09.51295.25
  14. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, ФТТ, 50 (7), 1188 (2008). [S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, Phys. Solid State, 50 (7), 1238 (2008). DOI: 10.1134/S1063783408070081]
  15. G. Orsal, Y. El Gmili, N. Fressengeas, J. Streque, R. Djerboub, T. Moudakir, S. Sundaram, A. Ougazzaden, J.P. Salvestrini, Opt. Mater. Express, 4 (5), 1030 (2014). DOI: 10.1364/OME.4.001030
  16. D. Zhu, D.J. Wallis, C.J. Humphreys, Rep. Prog. Phys., 76 (10), 106501 (2013). DOI: 10.1088/0034-4885/76/10/106501

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme