Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование фотоэлектрических характеристик GaAs-фотопреобразователей при различном расположении массива квантовых точек InGaAs в i-области
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.14.53576.18922 
Салий Р.А.
1, Минтаиров М.А.
1, Минтаиров С.А.
1, Нахимович М.В.1, Шварц М.З.
1, Калюжный Н.А.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: r.saliy@mail.ioffe.ru, Mamint@mail.ioffe.ru, Mintairov@scell.ioffe.ru, NMar@mail.ioffe.ru, shvarts@scell.ioffe.ru, Nickk@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 16 июня 2021 г.
В окончательной редакции: 14 июля 2021 г.
Принята к печати: 17 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 27 августа 2021 г.
Исследовано влияние расположения массива квантовых точек In0.8Ga0.2As в i-области фотопреобразователя на его фотогенерированный ток, а также темновые токи насыщения, определяющие рабочее напряжение прибора. Установлено, что фотоэлектрические характеристики зависят от расположения квантовых точек относительно электрического поля p-n-перехода. Смещение массива к границе слаболегированной базы приводит к уменьшению фотогенерированного тока в квантовых точках, но при этом эффект падения напряжения, свойственный наногетероструктурным фотопреобразователям, минимален.
- P.K. Nayak, S. Mahesh, H.J. Snaith, D. Cahen, Nature Rev. Mater., 4, 269 (2019). DOI: 10.1038/s41578-019-0097-0
- J.C. Algora, I. Rey-Stolle, Handbook of concentrator photovoltaic technology (John Wiley \& Sons, U.K., 2016)
- M. Bonnet-Eymard, M. Boccard, G. Bugnon, F. Sculati-Meillaud, M. Despeisse, C. Ballif, Solar Energy Mater. Solar Cells, 117, 120 (2013). DOI: 10.1016/j.solmat.2013.05.046
- S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S. Rouvimov, A.E. Zhukov, Electron. Lett., 51 (20), 1602 (2015). DOI: 10.1049/el.2015.2481
- N. Lopez, A. Marti, A. Luque, C. Stanley, C. Farmer, P. Diaz, J. Solar Energy Eng., 129, 319 (2007). DOI: 10.1115/1.2735344
- N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, R.A. Salii, A.M. Nadtochiy, A.S. Payusov, P.N. Brunkov, V.N. Nevedomsky, M.Z. Shvarts, A. Marti, V.M. Andreev, A. Luque, Prog. Photovolt., 24 (9), 1261 (2016). DOI: 10.1002/pip.2789
- T. Tayagaki, Y. Hoshi, N. Usami, Sci. Rep., 3, 2703 (2013). DOI: 10.1038/srep02703
- С.А. Блохин, А.В. Сахаров, А.М. Надточий, А.С. Паюсов, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, В.М. Лантратов, С.А. Минтаиров, Н.А. Калюжный, М.З. Шварц, ФТП, 43 (4), 537 (2009). [S.A. Blokhin, A.V. Sakharov, A.M. Nadtochy, A.S. Pauysov, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, N.A. Kaluzhniy, M.Z. Shvarts, Semiconductors, 43 (4), 514 (2009). DOI: 10.1134/S1063782609040204]
- C.G. Bailey, D.V. Forbes, S.J. Polly, Z.S. Bittner, Y. Dai, C. Mackos, R.P. Raffaelle, S.M. Hubbard, IEEE J. Photovolt., 2 (3), 269 (2012). DOI: 10.1109/JPHOTOV.2012.2189047
- С.А. Блохин, А.М. Надточий, С.А. Минтаиров, Н.А. Калюжный, В.М. Емельянов, В.Н. Неведомский, М.З. Шварц, М.В. Максимов, В.М. Лантратов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Письма в ЖТФ, 38 (22), 43 (2012). [S.A. Blokhin, A.M. Nadtochiy, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhny, V.M. Emel'yanov, V.N. Nevedomsky, M.Z. Shvarts, M.V. Maximov, V.M. Lantratov, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, Tech. Phys. Lett., 38 (11), 1024 (2012). DOI: 10.1134/S1063785012110193]
- S. Chan, D. Kim, A.M. Sanchez, Y. Zhang, M. Tang, J. Wu, H. Liu, IET Optoelectron., 13 (5), 215 (2019). DOI: 10.1049/iet-opt.2018.5069
- Р.А. Салий, С.А. Минтаиров, А.М. Надточий, В.Н. Неведомский, М.З. Шварц, Н.А. Калюжный, ФТП, 54 (10), 1079 (2020). DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49946.9418 [R.A. Salii, S.A. Mintairov, A.M. Nadtochiy, V.N. Nevedomskii, M.Z. Shvarts, N.A. Kalyuzhnyy, Semiconductors, 54 (10), 1267 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620100255]
- M. Wolf, H. Rauschenbach, Adv. Energy Convers., 3 (2), 455 (1963). DOI: 10.1016/0365-1789(63)90063-8
- K. Emery, Handbook of photovoltaic science and engineering, 2nd ed. (John Wiley \& Sons, 2011). p. 797. DOI: 10.1002/9780470974704
- S.A. Levina, V.M. Emelyanov, E.D. Filimonov, M.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev, Solar Energy Mater. Solar Cells, 213, 110560 (2020). DOI: 10.1016/j.solmat.2020.110560
- M.P.C.M Krijn, Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991). DOI: 10.1088/0268-1242/6/1/005
- R.A. Salii, V.V. Evstropov, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, N.A. Kalyuzhnyy, J. Phys.: Conf. Ser., 1410, 012099 (2019). DOI: 10.1088/1742-6596/1410/1/012099
- R. Stangl, M. Kriegel, M. Schmidt, in 2006 IEEE 4th World Conf. on photovoltaic energy conversion (IEEE, 2006), p. 1350. DOI: 10.1109/WCPEC.2006.279681
- W. Shockley, Bell. Syst. Tech. J., 28 (8), 435 (1949). DOI: 10.1002/j.1538-7305.1949.tb03645.x
- M.A. Mintairov, V.V. Evstropov, M.Z. Shvarts, S.A. Mintairov, R.A. Salii, N.A. Kalyuzhnyy, AIP Conf. Proc., 1748, 050003 (2016). DOI: 10.1063/1.4954366
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
