"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Варизонные гетероструктуры AlxInyGa1-x-yPzAs1-z/GaAs для фотоэлектрических преобразователей
Министерство образования и науки Российской Федераци, 01201354240
Лунин Л.С.1, Лунина М.Л.1, Алфимова Д.Л.1, Пащенко А.С.1, Яковенко Н.А.2, Пащенко О.С.1
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 7 июня 2021 г.
В окончательной редакции: 2 июля 2021 г.
Принята к печати: 6 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 11 августа 2021 г.

Выращены варизонные гетероструктуры AlxInyGa1-x-yPzAs1-z/GaAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры с возвратно-поступательным движением жидкой зоны, в которых достигнуто изменение ширины запрещенной зоны от 1.43 до 2.2 eV. Исследовано влияние технологических параметров на изменение ширины запрещенной зоны выращенных твердых растворов AlxInyGa1-x-yPzAs1-z. В гетероструктуре p-AlxInyGa1-x-yPzAs1-z/n-GaAs достигнут максимальный градиент ширины запрещенной зоны 10 490 eV/cm и показано увеличение внешнего квантового выхода в диапазоне длин волн 500-900 nm. Ключевые слова: варизонные гетероструктуры, твердые растворы, AlInGaPAs, полупроводники, III-V.
  1. В.С. Калиновский, Е.В. Контрош, Г.В. Климко, С.В. Иванов, В.С. Юферев, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, В.М. Андреев, ФТП, 54 (3), 285 (2020). DOI: 10.21883/FTP.2020.03.49034.9298 [V.S. Kalinovskii, E.V. Kontrosh, G.V. Klimko, S.V. Ivanov, V.S. Yuferev, B.Y. Ber, D.Y. Kazantsev, V.M. Andreev, Semiconductors, 54 (3), 355 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620030112]
  2. Г.С. Гагис, А.С. Власов, Р.В. Левин, А.Е. Маричев, М.П. Щеглов, Т.Б. Попова, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, Д.В. Чистяков, В.И. Кучинский, В.И. Васильев, Письма в ЖТФ, 45 (20), 22 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.20.48388.17954 [G.S. Gagis, A.S. Vlasov, R.V. Levin, A.E. Marichev, M.P. Scheglov, T.B. Popova, B.Ya. Ber, D.Yu. Kazantsev, D.V. Chistyakov, V.I. Kuchinskii, V.I. Vasil'ev, Tech. Phys. Lett., 45 (10), 1031 (2019). DOI: 10.1134/S1063785019100213]
  3. N. Jain, J. Simon, K.L. Schulte, D.J. Friedman, D.R. Diercks, C.E. Packard, D.L. Young, A.J. Ptak, IEEE J. Photovolt., 8 (6), 1577 (2018). DOI: 10.1109/JPHOTOV.2018.2865172
  4. T. Tayagaki, S.K. Reichmuth, H. Helmers, G. Siefer, J. Appl. Phys., 124 (18), 183103 (2018). DOI: 10.1063/1.5046543
  5. R. Lang, J. Schon, J. Lefevre, B. Boizot, F. Dimroth, D. Lackner, Solar Energy Mater. Solar Cells, 211, 110551 (2020). DOI: 10.1016/j.solmat.2020.110551
  6. S. Tomasulo, M. Gonzalez, M.P. Lumb, C.R. Brown, A.H. Dicarlo, I.R. Sellers, I. Vurgaftman, J.R. Meyer, R.J. Walters, M.K. Yakes, J. Cryst. Growth, 548, 125826 (2020). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2020.125826
  7. X.B. Zhang, S.S. Huang, J.Q. Liu, K.W. Lin, Y.H. Wang, W.Y. Yang, Appl. Phys. Express, 13 (7), 071002 (2020). DOI: 10.35848/1882-0786/ab9990
  8. В.И. Васильев, Г.С. Гагис, Р.В. Левин, А.Е. Маричев, Б.В. Пушный, М.П. Щеглов, В.И. Кучинский, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, А.Н. Горохов, Т.Б. Попова, Письма в ЖТФ, 44 (24), 12 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.24.47025.17442 [V.I. Vasil'ev, G.S. Gagis, R.V. Levin, A.E. Marichev, B.V. Pushnyi, M.P. Scheglov, V.I. Kuchinskii, B.Ya. Ber, D.Yu. Kazantsev, A.N. Gorokhov, T.B. Popova, Tech. Phys. Lett., 44 (12), 1127 (2018). DOI: 10.1134/S1063785018120593]
  9. H. Ferhati, F. Djeffal, Opt. Mater., 76, 393 (2018). DOI: 10.1016/j.optmat.2018.01.006
  10. S.Y. Wen, M.Z. Li, J.Y. Yang, X.L. Mei, B. Wu, X.L. Liu, J.X. Heng, D.H. Qin, L.T. Hou, W. Xu, D. Wang, Nanomaterials, 7 (11), 380 (2017). DOI: 10.3390/nano7110380
  11. Д.Л. Алфимова, Л.С. Лунин, М.Л. Лунина, А.Е. Казакова, А.С. Пащенко, С.Н. Чеботарев, Неорган. материалы, 53 (12), 1245 (2017). DOI: 10.7868/S0002337X17120016 [D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunina, A.E. Kazakova, A.S. Pashchenko, S.N. Chebotarev, Inorg. Mater., 53 (12), 1217 (2017). DOI: 10.1134/S0020168517120019]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.