Вышедшие номера
Вероятность процесса захвата двух электронов быстрым ионом Не2+ у атома Хе при различных параметрах удара
Басалаев А.А.1, Панов М.Н.1, Смирнов О.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: m.panov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 16 июня 2021 г.
В окончательной редакции: 6 июля 2021 г.
Принята к печати: 6 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 11 августа 2021 г.

Измерены дифференциальные сечения рассеяния атомов гелия, образующихся при столкновении ионов Не2+ с кинетическими энергиями 1.97, 3.00 и 7.17 keV/a.m.u. с атомами Хе в процессах с образованием медленных ионов ксенона с зарядами 2-4. Вычислена функция отклонения налетающих ионов. Определена вероятность осуществления всех этих процессов при различных величинах параметра удара сталкивающихся частиц. Определена роль электронных оболочек атома Хе 5(s,p) и 4(s,p,d) для процесса захвата двух электронов в зависимости от скорости сближения сталкивающихся частиц, параметра удара и зарядности образующихся ионов ксенона. Ключевые слова: захват двух электронов, захват с ионизацией, дифференциальное сечение рассеяния, параметр удара.