Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Переход заряда в вертикальных структурах, образованных двумерными слоями
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.13.53364.18896 
Давыдов С.Ю.1, Лебедев А.А.1, Булат П.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Севастопольский государственный университет, Севастополь, Россия
2Севастопольский государственный университет, Севастополь, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 июня 2021 г.
В окончательной редакции: 1 июня 2021 г.
Принята к печати: 5 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 11 августа 2021 г.
Методом функций Грина определены электронные структуры сверхрешеток и капсулированных слоев. Предложена простая схема оценки межслойного перехода заряда. В качестве примера рассмотрены слои графена и графеноподобных соединений. Ключевые слова: 2D-структура, сверхрешетка, капсулированный слой.
- A.K. Geim, I.V. Grigorieva, Nature, 499, 419 (2013). DOI: 10.1038/nature12385
- И.В. Антонова, ФТП, 50 (1), 67 (2016). [I.V. Antonova, Semiconductors, 50 (1), 66 (2016). DOI: 10.1134/S106378261601005X]
- K.S. Novoselov, A. Mishchenko, A. Carvalho, A.H. Castro Neto, Science, 353, 9439 (2016). DOI: 10.1126/science.aac9439
- S. Haastrup, M. Strange, M. Pandey, T. Deilmann, P.S. Schmidt, N.F. Hinsche, M.N. Gjerding, D. Torelli, P.M. Larsen, A.C. Riis-Jensen, J. Gath, K.W. Jacobsen, J.J. Mortensen, T. Olsen, K.S. Thygesen, 2D Mater., 5, 042002 (2018). DOI: 10.1088/2053-1583/aacfc1
- N. Briggs, S. Subramanian, Z. Lin, X. Li, X. Zhang, K. Zhang, K. Xiao, D. Geohegan, R. Wallace, L.-Q. Chen, M. Terrones, A. Ebrahimi, S. Das, J. Redwing, C. Hinkle, K. Momeni, A. van Duin, V. Crespi, S. Kar, J.A. Robinson, 2D Mater., 6, 022001 (2019). DOI: 10.1088/2053-1583/aaf836
- L. Vannucci, U. Petralanda, A. Rasmussen, T. Olsen, K.S. Thygesen, J. Appl. Phys., 128, 105101 (2020). DOI: 10.1063/5.0021237
- C. Forsythe, X. Zhou, K. Watanabe, T. Taniguchi, A. Pasupathy, P. Moon, M. Koshino, P. Kim, C.R. Dean, Nature Nanotechnol., 13, 566 (2018). DOI: 10.1038/s41565-018-0138-7
- P. Xiong, B. Sun, N. Sakai, R. Ma, T. Sasaki, S. Wang, J. Zhang, G. Wang, Adv. Mater., 32, 1902654 (2019). DOI: 10.1002/adma.201902654
- S. Liu, K. Yang, W. Liu, E. Zhang, Z. Li, X. Zhang, Z. Liao, W. Zhang, J. Sun, Y. Yang, H. Gao, C. Huang, L. Ai, P.K.J. Wong, A.T.S. Wee, A.T. N'Diaye, S.A. Morton, X. Kou, J. Zou, Y. Xu, H. Wu, F. Xiu, Natl. Sci. Rev., 7, 745 (2020). DOI: 10.1093/nsr/nwz205
- С.Ю. Давыдов, ФТП, в печати
- С.Ю. Давыдов, ФТП, 51 (2), 226 (2017). DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44110.8336 [S.Yu. Davydov, Semiconductors, 51 (2), 217 (2017). DOI: 10.1134/S1063782617020051]
- С.Ю. Давыдов, Теория адсорбции: метод модельных гамильтонианов (Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", СПб., 2013). twirpx.com/file/1596114/
- С.Ю. Давыдов, ФТТ, 58 (4), 779 (2016). [S.Yu. Davydov, Phys. Solid State, 58 (4), 804 (2016). DOI: 10.1134/S1063783416040041]
- С.Ю. Давыдов, Письма в ЖТФ, 47 (13), 52 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.13.51124.18749
- С.Ю. Давыдов, ФТТ, 62 (2), 326 (2020). DOI: 10.21883/FTT.2020.02.48886.602 [S.Yu. Davydov, Phys. Solid State, 62 (2), 378 (2020). DOI: 10.1134/S1063783420020080]
- С.Ю. Давыдов, ФТП, 47 (1), 97 (2013). [S.Yu. Davydov, Semiconductors, 47 (1), 95 (2013). DOI: 10.1134/S1063782613010090]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
