"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Переход заряда в вертикальных структурах, образованных двумерными слоями
Давыдов С.Ю.1, Лебедев А.А.1, Булат П.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Севастопольский государственный университет, Севастополь, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 июня 2021 г.
В окончательной редакции: 1 июня 2021 г.
Принята к печати: 5 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 11 августа 2021 г.

Методом функций Грина определены электронные структуры сверхрешеток и капсулированных слоев. Предложена простая схема оценки межслойного перехода заряда. В качестве примера рассмотрены слои графена и графеноподобных соединений. Ключевые слова: 2D-структура, сверхрешетка, капсулированный слой.
  1. A.K. Geim, I.V. Grigorieva, Nature, 499, 419 (2013). DOI: 10.1038/nature12385
  2. И.В. Антонова, ФТП, 50 (1), 67 (2016). [I.V. Antonova, Semiconductors, 50 (1), 66 (2016). DOI: 10.1134/S106378261601005X]
  3. K.S. Novoselov, A. Mishchenko, A. Carvalho, A.H. Castro Neto, Science, 353, 9439 (2016). DOI: 10.1126/science.aac9439
  4. S. Haastrup, M. Strange, M. Pandey, T. Deilmann, P.S. Schmidt, N.F. Hinsche, M.N. Gjerding, D. Torelli, P.M. Larsen, A.C. Riis-Jensen, J. Gath, K.W. Jacobsen, J.J. Mortensen, T. Olsen, K.S. Thygesen, 2D Mater., 5, 042002 (2018). DOI: 10.1088/2053-1583/aacfc1
  5. N. Briggs, S. Subramanian, Z. Lin, X. Li, X. Zhang, K. Zhang, K. Xiao, D. Geohegan, R. Wallace, L.-Q. Chen, M. Terrones, A. Ebrahimi, S. Das, J. Redwing, C. Hinkle, K. Momeni, A. van Duin, V. Crespi, S. Kar, J.A. Robinson, 2D Mater., 6, 022001 (2019). DOI: 10.1088/2053-1583/aaf836
  6. L. Vannucci, U. Petralanda, A. Rasmussen, T. Olsen, K.S. Thygesen, J. Appl. Phys., 128, 105101 (2020). DOI: 10.1063/5.0021237
  7. C. Forsythe, X. Zhou, K. Watanabe, T. Taniguchi, A. Pasupathy, P. Moon, M. Koshino, P. Kim, C.R. Dean, Nature Nanotechnol., 13, 566 (2018). DOI: 10.1038/s41565-018-0138-7
  8. P. Xiong, B. Sun, N. Sakai, R. Ma, T. Sasaki, S. Wang, J. Zhang, G. Wang, Adv. Mater., 32, 1902654 (2019). DOI: 10.1002/adma.201902654
  9. S. Liu, K. Yang, W. Liu, E. Zhang, Z. Li, X. Zhang, Z. Liao, W. Zhang, J. Sun, Y. Yang, H. Gao, C. Huang, L. Ai, P.K.J. Wong, A.T.S. Wee, A.T. N'Diaye, S.A. Morton, X. Kou, J. Zou, Y. Xu, H. Wu, F. Xiu, Natl. Sci. Rev., 7, 745 (2020). DOI: 10.1093/nsr/nwz205
  10. С.Ю. Давыдов, ФТП, в печати
  11. С.Ю. Давыдов, ФТП, 51 (2), 226 (2017). DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44110.8336 [S.Yu. Davydov, Semiconductors, 51 (2), 217 (2017). DOI: 10.1134/S1063782617020051]
  12. С.Ю. Давыдов, Теория адсорбции: метод модельных гамильтонианов (Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", СПб., 2013). twirpx.com/file/1596114/
  13. С.Ю. Давыдов, ФТТ, 58 (4), 779 (2016). [S.Yu. Davydov, Phys. Solid State, 58 (4), 804 (2016). DOI: 10.1134/S1063783416040041]
  14. С.Ю. Давыдов, Письма в ЖТФ, 47 (13), 52 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.13.51124.18749
  15. С.Ю. Давыдов, ФТТ, 62 (2), 326 (2020). DOI: 10.21883/FTT.2020.02.48886.602 [S.Yu. Davydov, Phys. Solid State, 62 (2), 378 (2020). DOI: 10.1134/S1063783420020080]
  16. С.Ю. Давыдов, ФТП, 47 (1), 97 (2013). [S.Yu. Davydov, Semiconductors, 47 (1), 95 (2013). DOI: 10.1134/S1063782613010090]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.