Исследован процесс ионного синтеза структур "кремний на изоляторе", основанный на последовательной имплантации ионов кислорода и стеклообразователя в кремниевые подложки. В качестве стеклообразователя использованы ионы свинца. Рассмотрены особенности формирования скрытого силикатного слоя при постимплантационном отжиге. Измерены вольт-амперные характеристики синтезированных структур, а также удельные электрические сопротивления изолятора и приборного слоя кремния. Ключевые слова: ионная имплантация, стеклообразователь, высокотемпературный отжиг, силикатный изолятор, вольт-амперная характеристика.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.