"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения
Российский научный фонд, 17-19-01482
Уваров А.В.1,2, Баранов А.И.1,2, Вячеславова Е.А.1,2, Калюжный Н.А.3, Кудряшов Д.А.1,2, Максимова А.А.1,2, Морозов И.А.1,2, Минтаиров С.А.3, Салий Р.А.3, Гудовских А.С.1,2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: lumenlight@mail.ru
Поступила в редакцию: 24 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 26 апреля 2021 г.
Принята к печати: 27 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 18 мая 2021 г.

Впервые показана возможность создания нижнего перехода многопереходных A3B5/Si солнечных элементов на основе гетероструктуры n-GaP/p-Si, выращенной с помощью комбинации технологий атомно-слоевого плазмохимического осаждения и металлоорганической газофазной эпитаксии при температуре Ts, не превышающей 650oС. Фотоэлектрические свойства структур, выращенных при Ts≤ 650oС, зависят от условий процесса, в частности от использования дополнительной обработки в плазме Ar. Ключевые слова: фосфид галлия, кремний, солнечный элемент.
  1. A. De Vos, J. Phys. D: Appl. Phys., 13, 839 (1980). DOI: 10.1088/0022-3727/13/5/018
  2. J.P. Connolly, D. Mencaraglia, C. Renard, D. Bouchier, Prog. Photovolt.: Res. Appl., 22, 810 (2014). DOI: 10.1002/pip.2463
  3. T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno, Appl. Phys. Lett., 63, 2543 (1993). DOI: 10.1063/1.110427
  4. A.S. Gudovskikh, K.S. Zelentsov, A.I. Baranov, D.A. Kudryashov, I.A. Morozov, E.V. Nikitina, J.-P. Kleider, Energy Procedia, 102, 56 (2016). DOI: 10.1016/j.egypro.2016.11.318
  5. H. Wagner, T. Ohrdes, A. Dastgheib-Shirazi, B. Puthen-Veettil, D. Konig, P.P. Altermatt, J. Appl. Phys., 115, 044508 (2014). DOI: 10.1063/1.4863464
  6. A.S. Gudovskikh, A.V. Uvarov, I.A. Morozov, A.I. Baranov, D.A. Kudryashov, E.V. Nikitina, A.A. Bukatin, K.S. Zelentsov, I.S. Mukhin, A. Levtchenko, S. Le Gall, J.-P. Kleider, J. Renew. Sustain. Energy, 10, 021001 (2018). DOI: 10.1063/1.5000256
  7. M. Feifel, J. Ohlmann, J. Benick, T. Rachow, S. Janz, M. Hermle, IEEE J. Photovolt., 7, 502 (2017). DOI: 10.1109/jphotov.2016.2642645
  8. C. Zhang, N.N. Faleev, L. Ding, M. Boccard, M.I. Bertoni, Z. Holman, in IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conf. (PVSC) (IEEE, 2016), p. 1950. DOI: 10.1109/pvsc.2016.7749966
  9. H. Doscher, S. Bruckner, T. Hannappel, J. Cryst. Growth, 318, 563 (2011). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.11.087
  10. R. Varache, M. Darnon, M. Descazeaux, M. Martin, T. Baron, D. Munoz, Energy Procedia, 77, 493 (2015). DOI: 10.1016/j.egypro.2015.07.070
  11. L. Ding, C. Zhang, T.U. N rland, N. Faleev, C. Honsberg, M.I. Bertoni, Energy Procedia, 92, 617 (2016). DOI: 10.1016/j.egypro.2016.07.027
  12. A.S. Gudovskikh, A.V. Uvarov, I.A. Morozov, A.S. Bukatin, A.I. Baranov, D.A. Kudryashov, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, V.I. Zubkov, G.E. Yakovlev, J.-P. Kleider, Phys. Status Solidi A, 217, 1900532 (2019). DOI: 10.1002/pssa.201900532
  13. A.V. Uvarov, A.S. Gudovskikh, V.N. Nevedomskiy, A.I. Baranov, D.A. Kudryashov, I.A. Morozov, J.-P. Kleider, J. Phys. D: Appl. Phys., 53, 345105 (2020). DOI: 10.1088/1361-6463/ab8bfd
  14. М.С. Соболев, А.А. Лазаренко, Е.В. Никитина, Е.В. Пирогов, А.С. Гудовских, А.Ю. Егоров, ФТП, 49 (4), 569 (2015)
  15. A.S. Gudovskikh, A.V. Uvarov, I.A. Morozov, A.I. Baranov, D.A. Kudryashov, K.S. Zelentsov, A. Jaffre, S. Le Gall, A. Darga, A. Brezard-Oudot, J.-P. Kleider, Phys. Status Solidi A, 216, 1800617 (2018). DOI: 10.1002/pssa.201800617

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.