Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения
Российский научный фонд, 17-19-01482
Уваров А.В.1,2, Баранов А.И.1,2, Вячеславова Е.А.1,2, Калюжный Н.А.3, Кудряшов Д.А.1,2, Максимова А.А.1,2, Морозов И.А.1,2, Минтаиров С.А.3, Салий Р.А.3, Гудовских А.С.1,2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: lumenlight@mail.ru
Поступила в редакцию: 24 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 26 апреля 2021 г.
Принята к печати: 27 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 18 мая 2021 г.
Впервые показана возможность создания нижнего перехода многопереходных A3B5/Si солнечных элементов на основе гетероструктуры n-GaP/p-Si, выращенной с помощью комбинации технологий атомно-слоевого плазмохимического осаждения и металлоорганической газофазной эпитаксии при температуре Ts, не превышающей 650oС. Фотоэлектрические свойства структур, выращенных при Ts≤ 650oС, зависят от условий процесса, в частности от использования дополнительной обработки в плазме Ar. Ключевые слова: фосфид галлия, кремний, солнечный элемент.
- A. De Vos, J. Phys. D: Appl. Phys., 13, 839 (1980). DOI: 10.1088/0022-3727/13/5/018
- J.P. Connolly, D. Mencaraglia, C. Renard, D. Bouchier, Prog. Photovolt.: Res. Appl., 22, 810 (2014). DOI: 10.1002/pip.2463
- T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno, Appl. Phys. Lett., 63, 2543 (1993). DOI: 10.1063/1.110427
- A.S. Gudovskikh, K.S. Zelentsov, A.I. Baranov, D.A. Kudryashov, I.A. Morozov, E.V. Nikitina, J.-P. Kleider, Energy Procedia, 102, 56 (2016). DOI: 10.1016/j.egypro.2016.11.318
- H. Wagner, T. Ohrdes, A. Dastgheib-Shirazi, B. Puthen-Veettil, D. Konig, P.P. Altermatt, J. Appl. Phys., 115, 044508 (2014). DOI: 10.1063/1.4863464
- A.S. Gudovskikh, A.V. Uvarov, I.A. Morozov, A.I. Baranov, D.A. Kudryashov, E.V. Nikitina, A.A. Bukatin, K.S. Zelentsov, I.S. Mukhin, A. Levtchenko, S. Le Gall, J.-P. Kleider, J. Renew. Sustain. Energy, 10, 021001 (2018). DOI: 10.1063/1.5000256
- M. Feifel, J. Ohlmann, J. Benick, T. Rachow, S. Janz, M. Hermle, IEEE J. Photovolt., 7, 502 (2017). DOI: 10.1109/jphotov.2016.2642645
- C. Zhang, N.N. Faleev, L. Ding, M. Boccard, M.I. Bertoni, Z. Holman, in IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conf. (PVSC) (IEEE, 2016), p. 1950. DOI: 10.1109/pvsc.2016.7749966
- H. Doscher, S. Bruckner, T. Hannappel, J. Cryst. Growth, 318, 563 (2011). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.11.087
- R. Varache, M. Darnon, M. Descazeaux, M. Martin, T. Baron, D. Munoz, Energy Procedia, 77, 493 (2015). DOI: 10.1016/j.egypro.2015.07.070
- L. Ding, C. Zhang, T.U. N rland, N. Faleev, C. Honsberg, M.I. Bertoni, Energy Procedia, 92, 617 (2016). DOI: 10.1016/j.egypro.2016.07.027
- A.S. Gudovskikh, A.V. Uvarov, I.A. Morozov, A.S. Bukatin, A.I. Baranov, D.A. Kudryashov, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, V.I. Zubkov, G.E. Yakovlev, J.-P. Kleider, Phys. Status Solidi A, 217, 1900532 (2019). DOI: 10.1002/pssa.201900532
- A.V. Uvarov, A.S. Gudovskikh, V.N. Nevedomskiy, A.I. Baranov, D.A. Kudryashov, I.A. Morozov, J.-P. Kleider, J. Phys. D: Appl. Phys., 53, 345105 (2020). DOI: 10.1088/1361-6463/ab8bfd
- М.С. Соболев, А.А. Лазаренко, Е.В. Никитина, Е.В. Пирогов, А.С. Гудовских, А.Ю. Егоров, ФТП, 49 (4), 569 (2015)
- A.S. Gudovskikh, A.V. Uvarov, I.A. Morozov, A.I. Baranov, D.A. Kudryashov, K.S. Zelentsov, A. Jaffre, S. Le Gall, A. Darga, A. Brezard-Oudot, J.-P. Kleider, Phys. Status Solidi A, 216, 1800617 (2018). DOI: 10.1002/pssa.201800617
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
