"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Волновые эффекты в коаксиальном тракте при субнаносекундном переключении высоковольтного диода в режиме задержанного ударно-ионизационного пробоя
Иванов М.С. 1, Брылевский В.И. 1, Родин П.Б. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: m.ivanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 31 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 31 марта 2021 г.
Принята к печати: 2 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 4 мая 2021 г.

Дан теоретический анализ волновых процессов в коаксиальном тракте при субнаносекундном переключении высоковольтного диодного обострителя импульсов. Установлены соотношения между амплитудами падающей, отраженной и прошедшей волн и измеряемыми в эксперименте напряжениями, а также между измеряемыми напряжениями и формой импульса генератора. Рассчитан эффект удвоения напряжения на диоде перед переключением. На основе полученных аналитических формул и экспериментальных данных определена временная зависимость коэффициента отражения обострителя и реконструированы волновые процессы в тракте при его переключении. Ключевые слова: полупроводниковые приборы, ударная ионизация, субнаносекундные переключатели, коаксиальные тракты.
  1. И.В. Грехов, А.Ф. Кардо-Сысоев, Письма в ЖТФ, 5 (15), 950 (1979)
  2. A.F. Kardo-Sysoev, in Ultra-wideband radar technology, ed. by J.D. Taylor (CRS Press, Boca Raton-London-N.Y.--Washington, 2001), p. 205
  3. R.J. Focia, Е. Schamiloglu, C.B. Fledermann, F.J. Agee, J. Gaudet, IEEE Trans. Plasma Sci., 25 (2), 138 (1997). DOI: 10.1109/27.602484
  4. I.V. Grekhov, IEEE Trans. Plasma Sci., 38 (5), 1118 (2010). DOI: 10.1109/TPS.2010.2043857
  5. С.К. Любутин, С.Н. Рукин, Б.Г. Словиковский, С.Н. Цыранов, Письма в ЖТФ, 31 (5), 36 (2005). [Пер. версия: 10.1134/1.1894430]; ФТП,  44 (7), 962 (2010). [Пер. версия: 10.1134/S1063782610070171]
  6. L.M. Merensky, A.F. Kardo-Sysoev, D. Shmilovitz, A.M. Kesar, IEEE Trans. Plasma Sci., 42 (12), 4015 (2014). DOI: 10.1109/TPS.2014.2366551
  7. V. Brylevskiy, I. Smirnova, A. Gutkin, P. Brunkov, P. Rodin, I. Grekhov, J. Appl. Phys., 122 (18), 185701 (2017). DOI: 10.1063/1.5004524
  8. P. Rodin, M. Ivanov, J. Appl. Phys., 127 (4), 044504 (2020). DOI: 10.1063/1.5097831
  9. A.S. Kesar, A. Raizman, G. Atar, S. Zoran, S. Gleizer, Y. Krasik, D. Cohen-Elias, Appl. Phys. Lett., 117 (1), 013501 (2020). DOI: 10.1063/5.0016228
  10. C.C. Herrmann, J. Croman, S.V. Baryshev, arXiv: 2011.13081 (2020)
  11. P.W. Smith, Transient electronics: pulsed circuit technology (John Wiley \& Sons, Chichester, 2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.