"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Наноструктурирование при наклонном напылении алюминия
Трушин О.С.1, Попов А.А.1, Пестова А.Н.1, Мазалецкий Л.А.1, Акулов А.А.2
1Ярославский филиал Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН, Ярославль, Россия
2Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия
Email: otrushin@gmail.com
Поступила в редакцию: 1 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 22 марта 2021 г.
Принята к печати: 23 марта 2021 г.
Выставление онлайн: 20 апреля 2021 г.

Экспериментально обнаружено формирование регулярных массивов наноколонн с высоким аспектным отношением (длина/поперечный размер) в процессе роста тонких пленок Al при наклонном напылении на кремниевую подложку методом электронно-лучевого испарения. Установлено, что оптимальные условия для наноструктурирования реализуются при углах падения испаряемого материала на подложку более 80o (скользящее напыление). Ключевые слова: пленки алюминия, электронно-лучевое испарение, напыление под углом, эффект затенения, наноструктурирование.
  1. A. Barranco, A. Borras, A.R. Gonzalez-Elipe, A. Palmero, Prog. Mater. Sci., 76, 59 (2016). DOI: 10.1016/j.pmatsci.2015.06.003
  2. M.M. Hawkeye, M.T. Taschuk, M.J. Brett, Glancing angle deposition of thin films (John Wiley \& Sons, 2014), p. 1--299
  3. B. Bouaouina, C. Mastail, A. Besnard, R. Mareus, F. Nita, A. Michel, G. Abadias, Mater. Design, 160, 338 (2018). DOI: 10.1016/j.matdes.2018.09.023
  4. B.C. Hubartt, X. Liu, J.G. Amar, J. Appl. Phys., 114, 083517 (2013). DOI: 10.1063/1.4819446
  5. L. Li, X. Xu, H. Chew, X. Huang, X. Dou, S. Pan, G. Li, L. Zhang, J. Phys. Chem. C, 112, 5328 (2008). DOI: 10.1021/jp710230c
  6. S.K. Sharma, M.-S. Kim, D.Y. Kim, J.-S. Yu, Electrochim. Acta, 87, 872 (2013). DOI: 10.1016/j.electacta.2012.09.028

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.