"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Aдмиттанс МДП-структур на основе nBn-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3-5 μm
Российский научный фонд, Конкурс 2019 года «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами», 19-12-00135
Войцеховский А.В.1, Несмелов С.Н.1, Дзядух С.М.1, Дворецкий С.А.1,2, Михайлов Н.Н.1,2, Сидоров Г.Ю.1,2, Якушев М.В.2
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: nesm69@mail.ru
Поступила в редакцию: 10 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2021 г.
Принята к печати: 25 марта 2021 г.
Выставление онлайн: 20 апреля 2021 г.

Исследован адмиттанс тестовых МДП-структур на основе nBn-систем из Hg1-xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Состав x в поглощающем и контактном слоях равен 0.29, а состав в барьерном слое - 0.60. Предложена эквивалентная схема МДП-структуры на основе nBn-системы и найдены номиналы элементов этой схемы в различных условиях. Сравнение температурной зависимости сопротивления барьера с моделью Rule07 свидетельствует о возможности создания эффективных nBn-детекторов на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, для спектрального диапазона 3-5 μm. Ключевые слова: nBn-система, МДП-структура, HgCdTe, адмиттанс, метод эквивалентных схем.
  1. S. Maimon, G.W. Wicks, Appl. Phys. Lett., 89 (15), 151109 (2006). DOI: 10.1063/1.2360235
  2. D.Z. Ting, A. Soibel, A. Khoshakhlagh, S.B. Rafol, S.A. Keo, L. Hoglund, A.M. Fisher, E.M. Luong, S.D. Gunapala, Appl. Phys. Lett., 113 (2), 021101 (2018). DOI: 10.1063/1.5033338
  3. P. Martyniuk, K. Michalczewski, T.Y. Tsai, C.H. Wu, Y.R. Wu, Phys. Status Solidi A, 217 (6), 1900522 (2020). DOI: 10.1002/pssa.201900522
  4. L. Mollard, G. Bourgeois, C. Lobre, S. Gout, S. Viollet-Bosson, N. Baier, G. Destefanis, O. Gravrand, J.P. Barnes, F. Milesi, A. Kerlain, L. Rubaldo, A. Manissadjian, J. Electron. Mater., 43 (3), 802 (2014). DOI: 10.1007/s11664-013-2809-3
  5. A.M. Itsuno, J.D. Phillips, S. Velicu, Appl. Phys. Lett., 100 (16), 161102 (2012). DOI:10.1063/1.4704359
  6. S. Velicu, J. Zhao, M. Morley, A.M. Itsuno, J.D. Phillips, Proc. SPIE, 8268, 82682X (2012). DOI: 10.1117/12.904916
  7. O. Gravrand, F. Boulard, A. Ferron, P. Ballet, W. Hassis, J. Electron. Mater., 44 (9), 3069 (2015). DOI: 10.1007/s11664-015-3821-6
  8. A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, G.Yu. Sidorov, M.V. Yakushev, J. Phys. D: Appl. Phys., 53 (5), 055107 (2019). DOI: 10.1088/1361-6463/ab5487
  9. D.R. Rhiger, E.P. Smith, B.P., Kolasa, J.K. Kim, J.F. Klem, S.D. Hawkins, J. Electron. Mater., 45 (9), 4646 (2016). DOI: 10.1007/s11664-016-4545-y
  10. A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, G.Yu. Sidorov, M.V. Yakushev, Mater. Res. Exp., 6 (11), 116411 (2019). DOI: 10.1088/2053-1591/ab444f
  11. A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, G.Yu. Sidorov, M.V. Yakushev, Semicond. Sci. Technol., 35 (5), 055026 (2020). DOI: 10.1088/1361-6641/ab7beb
  12. А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Г.Ю. Сидоров, М.В. Якушев, Изв. вузов. Физика, 63 (6), 8 (2020). DOI: 10.17223/00213411/63/6/8 [Пер. версия: 10.1007/s11182-020-02117-0]
  13. N.D. Akhavan, G. Jolley, G.A. Umana-Membreno, J. Antoszewski, L. Faraone, J. Electron. Mater., 44 (9), 3044 (2015). DOI: 10.1007/s11664-015-3764-y
  14. E.R. Zakirov, V.G. Kesler, G.Y. Sidorov, I.P. Prosvirin, A.K. Gutakovsky, V.I. Vdovin, Semicond. Sci. Technol., 34 (6), 065007 (2019). DOI: 10.1088/1361-6641/ab1961
  15. W.E. Tennant, D. Lee, M. Zandian, E. Piquette, M. Carmody, J. Electron. Mater., 37 (9), 1406 (2008). DOI: 10.1007/s11664-008-0426-3

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.