Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2021, выпуск 12 » Статья стр. 27
<<<>>>
Направление диффузионного потока галлия при осаждении на поверхность с регулярными массивами отверстий
DOI: 10.21883/PJTF.2021.12.51063.18765
РФФИ, 20-52-16301
РФФИ, 20-02-00351
РФФИ, 18-02-40006
Дубровский В.Г.1
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: dubrovskii@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 12 марта 2021 г.
Принята к печати: 22 марта 2021 г.
Выставление онлайн: 20 апреля 2021 г.
PDF версия
Автокаталитический рост нитевидных нанокристаллов GaAs и GaP часто осуществляется на поверхностях SiOx/Si(111) с массивами литографически подготовленных отверстий. Капли Ga создаются в процессе предварительного осаждения в отсутствие потока As. Ранее считалось, что диффузионный поток Ga направлен с поверхности маски в отверстия. Нами показано, что направление диффузионного потока может быть различным в зависимости от параметров роста. Модель применима для описания времен инкубации капель и позволяет объяснить длительную задержку нуклеации капель и нитевидных нанокристаллов. Ключевые слова: поверхностная диффузия, массивы отверстий, оксидный слой кремния, капли галлия.
  1. A. Zhang, G. Zheng, C.M. Lieber, Nanowires: building blocks for nanoscience and nanotechnology (Springer, 2016)
  2. F. Glas, Phys. Rev. B, 74, 121302(R) (2006). DOI: 10.1103/PhysRevB.74.121302
  3. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, X. Zhang, R.A. Suris, Cryst. Growth Design, 10, 3949 (2010). DOI: 10.1021/cg100495b
  4. G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, V.N. Petrov, N.K. Polyakov, N.P. Korneeva, V.N. Demidov, A.O. Golubok, S.A. Masalov, D.V. Kurochkin, O.M. Gorbenko, N.I. Komyak, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, A.F. Tsatusul'nikov, B.V. Volovik, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, Semicond. Sci. Technol., 13, 1262 (1998). DOI: 10.1088/0268-1242/13/11/005
  5. M.H. Sun, E.S.P. Leong, A.H. Chin, C.Z. Ning, G.E. Cirlin, Yu.B. Samsonenko, V.G. Dubrovskii, L. Chuang, C. Chang-Hasnain, Nanotechnology, 21, 335705 (2010). DOI: 10.1088/0957-4484/21/33/335705
  6. R.S. Wagner, W.C. Ellis, Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964). DOI: 10.1063/1.1753975
  7. V.G. Dubrovskii, F. Glas, in: Fundamental properties of semiconductor nanowires, ed. by N. Fukata, R. Rurali (Springer, 2021), p. 3. DOI: 10.1007/978-981-15-9050-4\_1
  8. V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, Yu.B. Samsonenko, N.V. Sibirev, V.M. Ustinov, Phys. Status Solidi B, 241, R30 (2004). DOI: 10.1002/pssb.200409042
  9. Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов, ФТП, 39 (5), 587 (2005)
  10. C. Colombo, D. Spirkoska, M. Frimmer, G. Abstreiter, A. Fontcuberta i Morral, Phys. Rev. B, 77, 155326 (2008). DOI: 10.1103/PhysRevB.77.155326
  11. S. Plissard, G. Larrieu, X. Wallart, P. Caroff, Nanotechnology, 22, 275602 (2011). DOI: 10.1088/0957-4484/22/27/275602
  12. J. Vukajlovic-Plestina, W. Kim, V.G. Dubrovskii, G. Tutuncuovglu, M. Lagier, H. Potts, M. Friedl, A. Fontcuberta i Morral, Nano Lett., 17, 4101 (2017). DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b00842
  13. M.T. Robson, V.G. Dubrovskii, R.R. LaPierre, Nanotechnology, 26, 465301 (2015). DOI: 10.1088/0957-4484/26/46/465301
  14. Q. Gao, V.G. Dubrovskii, P. Caroff, J. Wong-Leung, L. Li, Y. Guo, L. Fu, H.H. Tan, C. Jagadish, Nano Lett., 16, 4361 (2016). DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b01461
  15. V.G. Dubrovskii, Phys. Status Solidi B, 171, 345 (1992). DOI: 10.1002/pssb.2221710206
  16. P. Hanggi, P. Talkner, M. Borkovec, Rev. Mod. Phys., 62, 251 (1990). DOI: 10.1103/RevModPhys.62.251
  17. P. Krogstrup, H.I. J rgensen, E. Johnson, M.H. Madsen, C.B. S rensen, A. Fontcuberta i Morral, M. Aagesen, J. Nyg rd, F. Glas, J. Phys. D: Appl. Phys., 46, 313001 (2013). DOI: 10.1088/0022-3727/46/31/313001
  18. V.G. Dubrovskii, Yu.Yu. Hervieu, J. Cryst. Growth, 401, 431 (2014). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.01.015
  19. Yu.Yu. Hervieu, J. Cryst. Growth, 493, 1 (2018). DOI: j.jcrysgro.2018.04.012
  20. R.L. Schwoebel, J. Appl. Phys., 37, 3682 (1966). DOI: 10.1063/1.1707904

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme