Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2021, выпуск 6 » Статья стр. 48
<<<>>>
Высоковольтные лавинные 4H-SiC-диоды с охранной полуизолирующей областью
DOI: 10.21883/PJTF.2021.06.50760.18637
Иванов П.А.1, Кудояров М.Ф.1, Лебедева Н.М.1, Ильинская Н.Д.1, Самсонова Т.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 ноября 2020 г.
В окончательной редакции: 26 ноября 2020 г.
Принята к печати: 14 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 12 января 2021 г.
PDF версия
Изготовлены высоковольтные 4H-SiC-диоды с контролируемым лавинным пробоем при обратном напряжении 1460 V. Для устранения краевых эффектов на периферии диодов формировалась полуизолирующая область с помощью облучения высокоэнергетическими (53 MeV) ионами аргона. Изготовленные диоды функционируют при плотностях лавинного тока ~ 103 A/cm2; лавинное сопротивление составляет не более 0.03 Omega· cm2. При длительности импульсов тока 4 μs лавинная энергия, рассеиваемая диодами до отказа (вследствие вторичного теплового пробоя), и локальный температурный перегрев составляют 5 J/cm2 и 850oC соответственно. Ключевые слова: карбид кремния, диод, охранный контур, лавинный пробой.
  1. T. Kimoto, J.A. Cooper, Fundamentals of silicon carbide technology: growth, characterization, devices, and applications (Wiley-IEEE Press, 2014)
  2. П.А. Иванов, М.Ф. Кудояров, М.А. Козловский, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова, ФТП, 50 (7), 937 (2016)
  3. П.А. Иванов, Н.М. Лебедева, ФТП, 55 (2), 201 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.02.50509.9537
  4. П.А. Иванов, Н.М. Лебедева, Н.Д. Ильинская, М.Ф. Кудояров, Т.П. Самсонова, О.И. Коньков, Ю.М. Задиранов, ФТП, 55 (2), 188 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.02.50507.9528
  5. D.M. Caughey, R.E. Thomas, Proc. IEEE, 55, 2192 (1967)
  6. Т.Т. Мнацаканов, М.Е. Левинштейн, Л.И. Поморцева, С.Н. Юрков, ФТП, 38 (1), 56 (2004)
  7. P.A. Ivanov, A.S. Potapov, T.P. Samsonova, I.V. Grekhov, Solid-State Electron., 123, 15 (2016). http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2016.05.010
  8. S. Selberherr, Analysis and simulation of semiconductor devices (Springer-Verlag, 1984)
  9. T. Hatakeyama, T. Watanabe, T. Shinohe, K. Kojima, K. Arai, N. Sano, Appl. Phys. Lett., 85 (8), 1380 (2004). https://doi.org/10.1063/1.1784520
  10. С. Зи, Физика полупроводниковых приборов (Мир, М., 1984), т. 1
  11. A. Konstantinov, H. Pham, B. Lee, K.S. Park, B. Kang, F. Allerstam, T. Neyer, Solid-State Electron., 148, 51 (2018). https://doi.org/10.1016/j.sse.2018.07.011
  12. R. Rupp, R. Gerlach, A. Kabakow, R. Schorner, C. Hecht, R. Elpelt, in Proc. IEEE 26th Int. Symp. on power semiconductor devices \& IC's (IEEE, 2014), p. 67. https://doi.org/10.1109/ISPSD.2014.6855977

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme