Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Высоковольтные лавинные 4H-SiC-диоды с охранной полуизолирующей областью
Иванов П.А.1, Кудояров М.Ф.1, Лебедева Н.М.1, Ильинская Н.Д.1, Самсонова Т.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 ноября 2020 г.
В окончательной редакции: 26 ноября 2020 г.
Принята к печати: 14 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 12 января 2021 г.
Изготовлены высоковольтные 4H-SiC-диоды с контролируемым лавинным пробоем при обратном напряжении 1460 V. Для устранения краевых эффектов на периферии диодов формировалась полуизолирующая область с помощью облучения высокоэнергетическими (53 MeV) ионами аргона. Изготовленные диоды функционируют при плотностях лавинного тока ~ 103 A/cm2; лавинное сопротивление составляет не более 0.03 Omega· cm2. При длительности импульсов тока 4 μs лавинная энергия, рассеиваемая диодами до отказа (вследствие вторичного теплового пробоя), и локальный температурный перегрев составляют 5 J/cm2 и 850oC соответственно. Ключевые слова: карбид кремния, диод, охранный контур, лавинный пробой.
- T. Kimoto, J.A. Cooper, Fundamentals of silicon carbide technology: growth, characterization, devices, and applications (Wiley-IEEE Press, 2014)
- П.А. Иванов, М.Ф. Кудояров, М.А. Козловский, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова, ФТП, 50 (7), 937 (2016)
- П.А. Иванов, Н.М. Лебедева, ФТП, 55 (2), 201 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.02.50509.9537
- П.А. Иванов, Н.М. Лебедева, Н.Д. Ильинская, М.Ф. Кудояров, Т.П. Самсонова, О.И. Коньков, Ю.М. Задиранов, ФТП, 55 (2), 188 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.02.50507.9528
- D.M. Caughey, R.E. Thomas, Proc. IEEE, 55, 2192 (1967)
- Т.Т. Мнацаканов, М.Е. Левинштейн, Л.И. Поморцева, С.Н. Юрков, ФТП, 38 (1), 56 (2004)
- P.A. Ivanov, A.S. Potapov, T.P. Samsonova, I.V. Grekhov, Solid-State Electron., 123, 15 (2016). http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2016.05.010
- S. Selberherr, Analysis and simulation of semiconductor devices (Springer-Verlag, 1984)
- T. Hatakeyama, T. Watanabe, T. Shinohe, K. Kojima, K. Arai, N. Sano, Appl. Phys. Lett., 85 (8), 1380 (2004). https://doi.org/10.1063/1.1784520
- С. Зи, Физика полупроводниковых приборов (Мир, М., 1984), т. 1
- A. Konstantinov, H. Pham, B. Lee, K.S. Park, B. Kang, F. Allerstam, T. Neyer, Solid-State Electron., 148, 51 (2018). https://doi.org/10.1016/j.sse.2018.07.011
- R. Rupp, R. Gerlach, A. Kabakow, R. Schorner, C. Hecht, R. Elpelt, in Proc. IEEE 26th Int. Symp. on power semiconductor devices \& IC's (IEEE, 2014), p. 67. https://doi.org/10.1109/ISPSD.2014.6855977
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
