"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
AlSb/InAs-гетероструктуры для СВЧ-транзисторов
Переводная версия: 10.1134/S1063785021020127
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Научно-технологическое развитие Российской Федерации, 075-15-2020-797
Суханов М.А.1, Бакаров А.К.1,2, Журавлёв К.С.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: sukhanovma@mail.ru, bakarov@isp.nsc.ru, zhur@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 16 октября 2020 г.
В окончательной редакции: 25 октября 2020 г.
Принята к печати: 25 октября 2020 г.
Выставление онлайн: 1 декабря 2020 г.

Описаны особенности процесса выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии AlSb/InAs-гетероструктур с высокоподвижным двумерным электронным газом для СВЧ-транзисторов со сверхмалым энергопотреблением. Изложены основные этапы изготовления транзисторов на основе AlSb/InAs-гетероструктур. Представлены и обсуждены стоковые и сток-затворные характеристики транзисторов. Ключевые слова: AlSb/InAs-гетероструктуры, молекулярно-лучевая эпитаксия, HEMT-транзистор.
  1. A. Cappy, B. Carnez, R. Fauquembergues, G. Salmer, E. Constant, IEEE Trans. Electron Dev., 27 (11), 2158 (1980). DOI: 10.1109/T-ED.1980.20166
  2. H. Guan, S. Wang, L. Chen, B. Gao, Y. Wang, C. Jiang, Coatings, 9 (5), 318 (2019). DOI: 10.3390/coatings9050318
  3. J. Wang, G.W. Wang, Y.Q. Xu, J.L. Xing, W. Xiang, B. Tang, Y. Zhu, Z.W. Ren, Z.H. He, Z.C. Niu, J. Appl. Phys., 114 (1), 013704 (2013). DOI: 10.1063/1.4811443
  4. G. Tuttle, H. Kroemer, J.H. English, J. Appl. Phys., 67 (6), 3032 (1990). DOI: 10.1063/1.345426
  5. B. Brar, H. Kroemer, IEEE Electron Dev. Lett., 16 (12), 548 (1995). DOI: 10.1109/55.475583
  6. C.Y. Chang, H.T. Hsu, E.Y. Chang, C.I. Kuo, S. Datta, M. Radosavljevic, Y. Miyamoto, IEEE Electron Dev. Lett., 28 (10), 856 (2007). DOI: 10.1109/LED.2007.906083
  7. D.C. Ruiz, T. Saranovac, D. Han, O. Ostinelli, C.R. Bolognesi, IEEE International Electron Devices Meeting (IEEE, 2019), p. 9.3.1. DOI: 10.1109/IEDM19573.2019.8993654

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.