"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны наноразмерных фаз Si, созданных на различных глубинах приповерхностной области SiO2
Ташмухамедова Д.А.1, Юсупжанова М.Б.1, Аллаярова Г.Х.1, Умирзаков Б.Е.1
1Ташкентский государственный технический университет им. И.А. Каримова, Ташкент, Узбекистан
Email: ftmet@mail.ru
Поступила в редакцию: 6 мая 2020 г.
В окончательной редакции: 3 июля 2020 г.
Принята к печати: 3 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 29 июля 2020 г.

Методом бомбардировки ионами Ar+ с последующим отжигом на различных глубинах оксида кремния получены нанофазы и нанослои Si. При изменении энергии ионов E0 от 10 до 25 keV средняя глубина образования нанофаз Si меняется в пределах от 15 до 25 nm. Показано, что при изменении размеров нанофаз Si от ~ 10 до 25 nm ширина запрещенной зоны Eg уменьшается от 1.9 до 1.5 eV. Для нанослоев Si Eg составляет ~ 1.1-1.2 eV. Ключевые слова: гетероструктура, ионная бомбардировка, нанослой, поглощение света, степень покрытия.
  1. Демидов Е.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Карзанова М.В., Демидова Н.Е., Чигиринский Ю.И., Шушунов А.Н., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Европейцев Е.А. // ФТТ. 2011. Т. 53. В. 12. С. 2294--2298. http://journals.ioffe.ru/articles/1645
  2. Громов Д.Г., Пятилова О.В., Буляроский С.В., Белов А.Н., Раскин А.А. // ФТТ. 2013. Т. 55. В. 3. С. 562--566. http://journals.ioffe.ru/articles/973
  3. Hoppe K., Fahrner W.R., Fink D., Dhamodoran S., Petrov A., Chandra A., Saad A., Faupel F., Chakravadhanula V.S.K., Zaporotchenko V. // Nucl. Instrum. Meth. B. 2008. V. 266. N 8. P. 1642--1646. https://doi.org/10.1016/j.nimb.2007.12.069
  4. Priolo T., Gregorkiewicz T., Galli M., Krauss T.F. // Nature Nanotechnol. 2014. V. 9. N 1. P. 19--32
  5. Rochet F., Dufour G., Roulet H., Pelloie B., Perriere J., Fogarassy E., Slaoui A., Froment M. // Phys. Rev. B. 1988. V. 37. N 11. P. 6468--6477. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.37.6468
  6. Patrone L., Nelson D., Safarov V.I., Sentis M., Marine W., Giorgio S. // J. Appl. Phys. 2000. V. 87. N 8. P. 3829--3837. https://doi.org/10.1063/1.372421
  7. Takeoka S., Fujii M., Hayashi S. // Phys. Rev. B. 2000. V. 62. N 24. P. 16820--16825. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.62.16820
  8. Krishnan R., Xie Q., Kulik J., Wang X.D., Lu S., Molinari M., Gao Y., Krauss T.D., Fauchet P.M. // J. Appl. Phys. 2004. V. 96. N 1. P. 654--660. https://doi.org/10.1063/1.1751632
  9. Takagi H., Ogawa H., Yamazaki Y., Ishizaki A., Nakagiri T. // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. N 24. P. 2379--2380. https://doi.org/10.1063/1.102921
  10. Ундалов Ю.К., Теруков Е.И. // ФТП. 2015. Т. 49. В. 7. С. 887--898. http://journals.ioffe.ru/articles/41958
  11. Эргашов Ё.С., Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2017. N 4. С. 104--108. DOI: 10.7868/S0207352817040084
  12. Карабешкин К.В., Карасев П.А., Титов А.И. // ФТП. 2016. Т. 50. В. 8. С. 1009--1015. http://journals.ioffe.ru/articles/43422
  13. Юсупжанова М.Б., Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е. // ЖТФ. 2016. Т. 86. В. 4. С. 148--150. http://journals.ioffe.ru/articles/42980
  14. Умирзаков Б.Е., Ташмухамедова Д.А., Аллаярова Г.Х., Содикжанов Ж.Ш. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. В. 7. С. 49--51. DOI: 10.21883/PJTF.2019.07.47539.17650
  15. Болтаев Х.Х., Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2014. N 4. С. 24--29. DOI: 10.7868/S0207352814010107
  16. Lo Savio R., Repetto L., Guida P., Angeli E., Firpo G., Volpe A., Ierardi V., Valbusa U. // Solid State Commun. 2016. V. 240. P. 41--45. https://doi.org/10.1016/j.ssc.2016.04.023
  17. Эргашов Ё.С., Ташмухамедова Д.А., Раббимов Э. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2015. N 4. С. 38--43. DOI: 10.7868/S0207352815040083
  18. Умирзаков Б.Е., Ташмухамедова Д.А., Мурадкабилов Д.М., Болтаев Х.Х. // ЖТФ. 2013. Т. 83. Вып. 6. С. 66-70.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.