"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Анализ углеродсодержащих материалов методом вторично-ионной масс-спектрометрии: содержание атомов углерода в sp2- и sp3-гибридных состояниях
Переводная версия: 10.1134/S1063785020030190
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), РФФИ №18-02-00565
Грант Президента для молодых кандидатов наук , МК-3450.2019.2
Дроздов М.Н.1, Дроздов Ю.Н.1, Охапкин А.И.1, Юнин П.А.1, Стрелецкий О.А.2, Иешкин А.Е.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: drm@ipm.sci-nnov.ru, drozdyu@ipm.sci-nnov.ru, andy-ohapkin@yandex.ru, yunin@ipm.sci-nnov.ru, streletskiy.oleg@gmail.com, ieshkin@physics.msu.ru
Поступила в редакцию: 11 декабря 2019 г.
В окончательной редакции: 11 декабря 2019 г.
Принята к печати: 19 декабря 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.

Исследуется новый подход к анализу углеродсодержащих материалов методом вторично-ионной масс-спектрометрии, позволяющий определять концентрацию атомов углерода в состояниях sp2- и sp3-гибридизации. В качестве основного параметра масс-спектров вторичных ионов, характеризующего концентрацию N(sp3), предложено использовать отношение интенсивностей кластерных вторичных ионов C8/C7. На основании измерений нескольких тестовых структур получена калибровочная зависимость N(sp3) от отношения интенсивностей C8/C7. Измерены профили N(sp3) образцов алмазоподобного углерода, выращенных на подложках алмаза и кремния, показавшие концентрацию N(sp3) от 0.3 до 0.6 для разных режимов роста и неоднородное распределение концентрации N(sp3) по толщине образцов. Ключевые слова: вторично-ионная масс-спектрометрия, sp2- и sp3-гибридизация.
  1. Robertson J. // Mater. Sci. Eng. R. 2002. V. 37. N 4-6. P. 129-281
  2. Takabayashi S., Hayashi H., Yang M., Sugimoto R., Ogawa S., Takakuwa Y. // Diamond Related Mater. 2018. V. 81. P. 16-26
  3. Lesiak B., Kover L., Toth J., Zemek J., Jiricek P., Kromka A., Rangam N. // Appl. Surf. Sci. 2018. V. 452. P. 223-231
  4. Power electronics device applications of diamond semiconductors // Eds S. Koizumi, H. Umezawa, J. Pernot, M. Suzuki. Woodhead Publishing Ser. in Electronic and Optical Materials. Elsevier, 2018. 452 p
  5. Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Охапкин А.И., Краев С.А., Лобаев М.А. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. В. 2. С. 50-54
  6. Wilson R.G., Zavada J.M. // Mater. Sci. Eng. R. 2012. V. 73. N 11-12. P. 101-128
  7. Winograd N. // Surf. Interface Anal. 2013. V. 45. N 1. P. 3-8
  8. Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Пахомов Г.Л., Травкин В.В., Юнин П.А., Разумов В.Ф. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. В. 24. С. 45-54
  9. Mihara I., Nakagawa K., Kudo M., Aoyagi S. // Surf. Interface Anal. 2013. V. 45. N 1. P. 453-456
  10. Chiba K., Akamatsu T., Kawamura M. // Chem. Phys. Lett. 2006. V. 419. N 4-6. P. 506-510
  11. Staryga E., B ak G.W., Rogowski J., Knapik M., Rylski A., Fabisiak K. // Diamond Related Mater. 2007. V. 16. N 4-7. P. 1312-1315
  12. Grasso S., Fumagalli F., Polignano M., Ravizza E., Spadoni S., Soncini V. // Surf. Interface Anal. 2016. V. 48. N 7. P. 428-431
  13. Van Vaeck L., Adriaens A., Gijbels R. // Mass Spectrometry Rev. 1999. V. 18. N 1. P. 1-47

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.