Влияние температуры протонного облучения на характеристики мощных высоковольтных карбид-кремниевых диодов Шоттки
Российский научный фонд, поодержка отдельных научных групп, 16-12-10106
Estonian Research Council, Institutional Research Projec, IUT19-11
Horizon 2020 ERA-chair Grant ” Cognitive Electronics COEL“ — H2020-WIDESPREAD-2014-2 , (agreement number 668995 , VFP15051
TAR16013 Center of Excellence ” EXCITE IT“, а также IT Academy Program of Information Technology Foundation for Education.
Козловский В.В.
1, Корольков O.
2, Давыдовская К.С.
3, Лебедев A.А.
3, Левинштейн М.Е.
3, Слепчук Н.
2, Стрельчук А.М.
3, Toompuu J.
21Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Tallinn University of Technology, Tallinn, Estonia
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: kozlovski@physics.spbstu.ru
Поступила в редакцию: 14 октября 2019 г.
В окончательной редакции: 14 октября 2019 г.
Принята к печати: 19 декабря 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.
Впервые исследовано влияние облучения при высокой температуре ("горячего облучения") протонами на вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики полупроводниковых приборов на основе карбида кремния. Исследовались коммерческие высоковольтные (блокирующее напряжение 1700 V) интегрированные 4H-SiC-диоды Шоттки. Облучение производилось протонами с энергией 15 MeV при температурах 20-400oC. Установлено, что наиболее чувствительным к облучению параметром, определяющим радиационную стойкость приборов, является омическое сопротивление базы, монотонно возрастающее с ростом дозы облучения D. Показано, что при "горячем" облучении радиационная стойкость диодов существенно превышает стойкость диодов при низкотемпературном ("холодном") облучении. Сделан вывод, что с ростом температуры облучения уменьшается скорость образования глубоких центров в верхней половине запрещенной зоны карбида кремния. Ключевые слова: карбид кремния, диод Шоттки, протонное облучение, радиационные дефекты.
- Iwamoto N., Svensson B.G. Point defects in silicon carbide // Defects in semiconductors / Eds L. Romano, V. Privitera, Ch. Jagadish. Ser. Semiconductors and Semimetals. V. 91. Elsevier, 2015. Ch. 10. P. 369
- Лебедев А.А., Никитина И.П., Середова Н.В., Полетаев Н.К., Лебедев С.П., Козловский В.В., Зубов А.В. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. В. 11. С. 28--30
- Emtsev V.V., Davydov V.Yu., Goncharuk I.N., Kozlovski V.V., Kalinina E.V., Poloskin D.S., Sakharov A.V., Shmidt N.M., Smirnov A.N., Usikov A.S. // Mater. Sci. Forum. 1997. V. 258-263. P. 1143--1148
- Лебедев А.А., Вейнгер А.И., Давыдов Д.В., Савкина Н.С., Стрельчук А.М., Козловский В.В. // ФТП. 2000. Т. 34. В. 8. С. 897--902
- Kozlovski V.V., Lebedev A.A., Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Palmour J.W. // Appl. Phys. Lett. 2017. V. 110. P. 083503
- Castaldini A., Cavallini A., Rigutti L. // Semicond. Sci. Technol. 2006. V. 21. P. 724--728
- von Bardeleben H.J., Cantin J.L., Vickridge I., Battistig G. // Phys. Rev. B. 2000. V. 62. P. 10126--10134
- Иванов П.А., Кудояров М.Ф., Потапов А.С., Самсонова Т.П. // ФТП. 2019. Т. 53. В. 6. С. 862--864
- https://www.wolfspeed.com/media/downloads/16/CPW3- 1700-S010B.pdf
- Zakharenkov L.F., Kozlovski V.V., Shustrov B.A. // Phys. Status Solidi A. 1990. V. 117. P. 85--90
- Kozlovski V.V., Lebedev A.A., Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Palmour J.W. // J. Appl. Phys. 2018. V. 123. P. 024502
- Properties of advanced semiconductor materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe / Eds M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. N.Y.: John Wiley \& Sons, Inc., 2001. 216 p
- Emtsev V.V., Ivanov A.M., Kozlovski V.V., Lebedev A.A., Oganesyan G.A., Strokan N.B., Wagner G. // ФТП. 2012. Т. 46. В. 4. С. 473--481
- Kaneko H., Kimoto T. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 98. P. 262106
- Kozlovski V.V., Kolchenko T.I., Lomako V.M., Zakharenkov L.F. // Rad. Eff. Def. Solids. 1996. V. 138. P. 63--73
- Los A.V., Mazzola M.S. // J. Electron. Mater. 2001. V. 30. P. 235--241
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
