Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 1 » Статья стр. 20
<<<>>>
Особенности пироэффекта в эпитаксиальных слоях нитрида алюминия, полученных на Si-подложках
DOI: 10.21883/PJTF.2020.01.48858.18039
Переводная версия: 10.1134/S1063785020010058
Гаврилов Г.А.1, Муратиков К.Л.1, Панютин Е.А.1, Сотникова Г.Ю.1, Шарофидинов Ш.Ш.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: eugeny.panyutin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 16 сентября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.
PDF версия
Проведены исследования пироэффекта в квазиобъемных AlN-слоях с толщиной 10-170 μm, полученных по технологии хлоридно-гидридной газофазной эпитаксии на стандартных Si-подложках. Измерение пироэлектрического тока осуществлялось методом теплового воздействия нестационарного (типа "меандр") лазерного излучения, что в совокупности с данными независимого бесконтактного измерения динамики поверхностной температуры активного слоя позволило определить значение пирокоэффициента АlN в составе биморфной AlN/Si-структуры для различной толщины AlN-слоев. Установлено, что эти значения в среднем меньше тех, которые соответствуют материалу, полученному по той же технологии, но на SiC-подложках, и для достижения значений пирокоэффициентов, сравнимых по величине, в случае "AlN на Si" требуется увеличение толщины слоев AlN на 50-60%. Вместе с тем при большой толщине AlN-слоя (110, 170 μm) после удаления кремниевой подложки значения пирокоэффициента возрастали и достигали величины ~ 8.6-9.0 μC/(m2· K). Ключевые слова: пироэффект, нитрид алюминия, пирометрические сенсоры, высокоинтенсивное лазерное излучение.
  1. Semond F., Lorenzini P., Grandjean N., Massies J. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. N 3. P. 335--337
  2. Raghavan S., Redwing J.M. // J. Appl. Phys. 2004. V. 96. N 5. P. 2995--3003
  3. Sharofidinov Sh.Sh., Golovatenko A.A., Nikitina I.P., Seredova N.V., Mynbaeva M.G., Bougrov V.E., Odnobludov M.A., Stepanov S.I., Nikolaev V.I. // Mater. Phys. Mech. 2015. V. 22. N 1. P. 53--58
  4. Шарофидинов Ш.Ш., Кукушкин С.А., Редьков А.В., Гращенко А.С., Осипов А.В. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. В. 14. С. 24--27
  5. Fraga M.A., Furlan H., Pessoa R.S., Massi M. // Microsyst. Technol. 2014. V. 20. N 1. P. 9--21
  6. Kim T., Kim J., Dalmau R., Schlesser R., Preble E., Jiang X. // IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Frequency Control. 2015. V. 62. N 10. P. 1880--1887
  7. Yan W.S., Zhang R., Xiu X.Q., Xie Z.L., Han P., Jiang R.L., Gu S.L., Shi Y., Zheng Y.D. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. N 21. P. 212102 (1--3)
  8. Bukhovski A.D., Kaminski V.V., Shur M.S., Chen Q.C., Khan M.A. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. N 21. P. 3254--3256
  9. Гаврилов Г.А., Капралов А.Ф., Муратиков К.Л., Панютин Е.А., Сотников А.В., Сотникова Г.Ю., Шарофидинов Ш.Ш. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. В. 16. С. 11--19
  10. Кукушкин С.А., Осипов А.В., Сергеева О.Н., Киселев Д.А., Богомолов А.А., Солнышкин А.В., Каптелов Е.Ю., Сенкевич С.В., Пронин И.П. // ФТТ. 2016. Т. 58. В. 5. С. 937--940
  11. Александров С.Е., Гаврилов Г.А., Капралов А.А., Муратиков К.Л., Сотникова Г.Ю. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. В. 23. С. 77--85
  12. Figge S., Krnce H., Hommel D., Epelbaum E.M. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94. N 10. P. 101915.
  13. Ivanaga H., Kunishige A., Takeuchi S. // J. Mater. Sci. 2000. V. 35. N 10. P. 2451--2454
  14. Шалдин Ю.В., Matyjasik S. // ФТП. 2011. Т. 45. В. 9. С. 1159--1165
  15. Fuflyigin V., Salley E., Osinsky A., Norris P. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. N 19. P. 3075--3077
  16. Stan G.E., Botea M., Boni G.A., Pintilie I., Pintilie L. // Appl. Surf. Sci. 2015. V. 353. P. 1195--1202.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme