Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние кислородных вакансий на формирование и структуру филамента в мемристорах на основе диоксида кремния
Переводная версия: 10.1134/S1063785020010083 
РФФИ, мол_а, 18-37-00456
Окулич Е.В.1, Окулич В.И.1, Тетельбаум Д.И.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Email: eokulich@nifti.unn.ru, victorokulich@mail.ru, tetelbaum@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 29 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.
Установлен факт улучшения параметров мемристора на основе SiO2 при создании каскадов смещения в приповерхностном слое пленки диоксида кремния в результате облучения ее ионами Xe+. Молекулярно-динамическое моделирование структуры аморфного SiO2, обогащенного кислородными вакансиями, показало возможность возникновения зародышей нанокластеров кремния, которые способны играть существенную роль в формировании и эволюции проводящих ток путей (филаментов) и тем самым влиять на параметры мемристора. Ключевые слова: мемристивные структуры, диоксид кремния, филамент, ионное облучение, нанокластеры, молекулярно-динамическое моделирование.
- Lee J.S., Lee S., Noh T.W. // Appl. Phys. Rev. 2015. V. 2. N 3. P. 031303 (1-57). DOI: 10.1063/1.4929512
- Ерохин В.В. Органические мемристорные приборы и нейроморфные системы. Автореф. докт. дис. М.: НИЦ "Курчатовский институт", 2018. 42 с
- Mehonic A., Shluger A.L., Gao D., Valov I., Miranda E., Ielmini D., Bricalli A., Ambrosi E., Li C., Yang J.J., Xia Q., Kenyon A.J. // Adv. Mater. 2018. V. 30. N 43. P. 1801187 (1-21). DOI: 10.1002/adma.201801187
- Gao D.Z., El-Sayed A.-M., Shluger A.L. // Nanotechnology. 2016. V. 27. N 50. P. 505207 (1-7). DOI: 10.1088/0957-4484/27/50/505207
- Bersuker G., Gilmer D.C., Veksler D., Kirsch P., Vandelli L., Padovani A., Larcher L., McKenna K., Shluger A., Iglesias V., Porti M., Nafri a M. // J. Appl. Phys. 2011. V. 110. N 12. P. 124518 (1-12). DOI: 10.1063/1.3671565
- Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.srim.org/
- Cruz-Chu E.R., Aksimentiev A., Schulten K. // J. Phys. Chem. B. 2006. V. 110. N 43. P. 21497--21508. DOI: 10.1021/jp063896o
- Munetoha Sh., Motooka T., Moriguchi K., Shintani A. // Comp. Mater. Sci. 2007. V. 39. N 2. P. 334--339. DOI: 10.1016/j.commatsci.2006.06.010
- Электронный ресурс. Режим доступа: https://lammps.sandia.gov/
- Montesi L., Buckwell M., Zarudnyi K., Garnett L., Hudziak S., Mehonic A., Kenyon A.J. // IEEE Trans. Nanotechnol. 2016. V. 15. N 3. P. 428--434. DOI: 10.1109/tnano.2016.2539925
- Manolov E., Paz-Delgadillo J., Dzhurkov V., Nedev N., Nesheva D., Curiel-Alvarez M., Valdez-Salas B. // J. Phys.: Conf. Ser. 2019. V. 1186. P. 012023 (1--6). DOI: 10.1088/1742-6596/1186/1/012023
- Гисматулин A.A., Камаев Г.Н. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. В. 11. С. 73--81
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
