Адсорбция атомов бария на карбиде кремния
Давыдов С.Ю.1, Посредник О.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru, ovposrednik@etu.ru
Поступила в редакцию: 24 сентября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.
Адсорбция атомов бария на С- и Si-гранях политипов 3C-, 6H- и 4H-SiC рассмотрена в рамках модели Халдейна-Андерсона. Переход заряда с адатома бария на подложку проанализирован с учетом зонных и локальных состояний адсорбционной системы. Оценены ионный и металлический вклады в энергию адсорбции. Для проверки некоторых результатов использована модель поверхностной молекулы. Ключевые слова: зонные и локальные состояния, переход заряда, металлическая и ионная составляющие энергии адсорбции.
- Silicon carbide: recent major advances / Eds W.J. Choyke, H. Matsunami, G. Pensl. Berlin-Heidelberg: Springer, 2004. 899 p
- Advances in silicon carbide. Processing and applications / Eds S.E. Saddow, A. Agarwal. Boston-London: Artech House, 2004. 228 p
- Lebedev A.A. // Semicond. Sci. Technol. 2006. V. 21. N 6. P. R17--R34
- Liu G., Tuttle B.R., Dhar S. // Appl. Phys. Rev. 2015. V. 2. N 2. P. 021307
- Wu Y.H., Yu T., Chen Z.X. // J. Appl. Phys. 2010. V. 108. N 7. P. 071301
- Давыдов С.Ю., Посредник О.В. // ФТТ. 2019. Т. 61. В. 8. С. 1538--1541
- Давыдов С.Ю., Посредник О.В. // ФТТ. 2020. Т. 62. В. 2. С. 298--301
- Бенеманская Г.В., Дементьев П.А., Кукушкин С.А., Осипов А.В., Тимошнев С.Н. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. В. 5. С. 17--20
- Давыдов С.Ю., Трошин С.В. // ФТТ. 2007. Т. 49. В. 8. С. 1508--1513
- Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Посредник О.В. Элементарное введение в теорию наносистем. СПб.: Лань, 2014. 191 с
- Давыдов С.Ю., Павлык А.В. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 12. С. 33--36
- Давыдов С.Ю. // ФТП. 2007. Т. 41. В. 6. С. 718--720
- Физические величины. Справочник / Под ред. Е.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с
- Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел. М.: Мир, 1983. 381 с
- Harrison W.A. // Phys. Rev. B. 1983. V. 27. N 6. P. 3592--3604
- Давыдов С.Ю., Тихонов С.К. // ФТТ. 1995. Т. 37. В. 9. С. 2749--2754
- Браун О.М., Медведев В.К. // УФН. 1989. Т. 157. В. 4. С. 631--666
- Takeda Y., Urano T., Ohtani T., Tamiya K., Hongo S. // Surf. Sci. 1998. V. 402-404. P. 692--696
- Yao X., Hu X., Sarid D., Yu Z., Wang J., Marshall D.S., Droopad R., Abrokwah J.K., Hallmark J.A., Ooms W.J. // Phys. Rev. B. 1999. V. 59. N 7. P. 5115--5119
- O'Donnell K.M., Martin T.L., Allan N.L. // Chem. Mater. 2015. V. 27. N 4. P. 1306--1315
- O'Donnell K.M., Edmonds M.T., Tadich A., Thomsen L., Stacey A., Schenk A., Pakes C.I., Ley L. arXiv: 1505.06410
- Shaltaf R., Mete E., Ellialtov glu S. // Phys. Rev. B. 2005. V. 72. N 20. P. 205415
- Luo X., Fang C., Li X., Lai W., Liang T. // J. Nucl. Mater. 2013. V. 441. N 1-3. P. 113--118
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.