Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2019, выпуск 24 » Статья стр. 41
<<<>>>
Увеличение фототока Ga(In)As-субэлемента в многопереходных солнечных элементах GaInP/Ga(In)As/Ge
DOI: 10.21883/PJTF.2019.24.48802.17996
Переводная версия: 10.1134/S1063785019120253
Минтаиров С.А. 1, Емельянов В.М. 1, Калюжный Н.А. 1, Шварц М.З.1, Андреев В.М. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mintairov@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 22 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.
PDF версия
Проведено экспериментальное и теоретическое исследование спектральных характеристик Ga(In)As-субэлементa трехпереходных солнечных элементов GaInP/Ga(In)As/Ge. Показано, что использование слоя широкозонного "окна" с оптимизированной толщиной (Ga0.51In0.49P - 100 nm, Al0.4Ga0.6As - 110 nm, Al0.8Ga0.2As - 115 nm) для Ga(In)As-субэлемента позволяет увеличить его фототок на величину порядка 0.5 mA/cm2, замена материала слоя тыльного потенциального барьера GaInP-субэлемента с Al0.53In0.47P на p+-Ga0.51In0.49P или AlGaAs позволяет повысить ток короткого замыкания Ga(In)As-субэлемента еще на величину порядка 0.8 mA/cm2, а использование в туннельном диоде широкозонного слоя n++-Ga0.51In0.49P вместо n++-GaAs повышает фототок на величину порядка 1 mA/cm2. Ключевые слова: солнечный элемент, математическое моделирование, фототок, субэлемент, арсенид галлия.
  1. King R.R., Law D.C., Fetzer C.M., Sherif R.A., Edmondson K.M., Kurtz S., Kinsey G.S., Cotal H.L., Krut D.D., Ermer J.H., Karam N.H. // Proc. of the 20th EPVSEC. Barcelona, Spain, 2005. P. 118--123
  2. King R.R., Law D.C., Edmondson K.M., Fetzer C.M., Kinsey G.S., Yoon H., Sherif R.A., Karam N.H. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. P. 183516
  3. Guter W., Schone J., Philipps S.P., Steiner M., Siefer G., Wekkeli A., Welser E., Oliva E., Bett A.W., Dimroth F. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94. P. 223504
  4. Barrutia L., Garci a I., Barrigon E., Ochoa M., Lombardero I., Hinojosa M., Cano P., Bautista J., Cifuentes L., Rey-Stolle I., Algora C. // Proc. of the 2018 Spanish Conf. on electron devices (CDE). IEEE, 2018. P. 8596996 (1--4). https://doi.org/10.1109/CDE.2018.8596996
  5. Theristis M., O'Donovan T.S. // Solar Energy. 2015. V. 118. P. 533--546
  6. Heini M., Aierken A., Li Z.H., Zhao X.F., Sailai M., Shen X.B., Xu Y., Liu H.T., Li Y.D., Guo Q., Liu C.M. // AIP Adv. 2018. V. 8. P. 105022
  7. Kim J.-H., Choi E.Y., Kim B.-J., Han E., Park N. // Vacuum. 2019. V. 162. P. 47--53
  8. Green M.A., Emery K., Hishikawa Y., Warta W., Dunlop E.D. // Prog. Photovolt.: Res. Appl. 2015. V. 23. P. 1--9.
  9. Stan M.A., Sharps P.R., Fatemi N.S., Spadafora F.S., Aiken D.J., Hou H.Q. // Proc. 28th IEEE PV Specialists Conf. IEEE, 2000. P. 1374--1377
  10. Минтаиров С.А., Андреев В.М., Емельянов В.М., Калюжный Н.А., Тимошина Н.К., Шварц М.З., Лантратов В.М. // ФТП. 2010. Т. 44. В. 10. С. 1118--1123
  11. Kalyuzhnyy N.A., Evstropov V.V., Lantratov V.M., Mintairov S.A., Mintairov M.A., Gudovskikh A.S., Luque A., Andreev V.M. // Int. J. Photoenergy. 2014. V. 2014. P. 836284
  12. Abeles F. // Ann. de Phys. 1950. V. 12. P. 596--640
  13. Васильев A.М., Ландсман А.П. Полупроводниковые преобразователи. М.: Сов. радио, 1971. 248 с
  14. Andreev V.M., Emelyanov V.M., Kalyuzhnyy N.A., Lantratov V.M., Mintairov S.A., Shvarts M.Z., Timoshina N.K. // Proc. 23th EPVSEC. Valencia, Spain, 2008. P. 375--381

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme