Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2019, выпуск 24 » Статья стр. 44
<<<>>>
Генерация терагерцевого излучения с поверхности монослойного WSe2
DOI: 10.21883/PJTF.2019.24.48803.18032
Переводная версия: 10.1134/S1063785019120204
Министерство образования и науки Российской Федерации, Государственное задание, 3.7331.2017/9.10
Российский научный фонд, 19-72-10165
Горбатова А.В. 1, Хусяинов Д.И.1, Буряков А.М. 1
1МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
Email: gorbatova.anastasiya@mail.ru, bello16@mail.ru
Поступила в редакцию: 12 сентября 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.
PDF версия
Впервые исследованы параметры генерации терагерцевого излучения в двумерной пленке WSe2, выращенной методом химического осаждения из газовой фазы. Определен основной механизм генерации терагерцевого излучения в рассматриваемой структуре. Исследована зависимость амплитуды терагерцевого сигнала от азимутального угла двумерной пленки WSe2. Проведен расчет распределения электрического поля лазерной накачки в структуре WSe2/SiO2/Si в зависимости от толщины диоксида кремния. Теоретически обоснован выбор оптимальной геометрии структуры для эффективной генерации терагерцевого излучения монослойной пленкой WSe2. Ключевые слова: двумерные полупроводники, дихалькогениды переходных металлов, диселенид вольфрама (WSe2), терагерцевая эмиссия, оптическое выпрямление.
  1. Bahk Y.-M., Ramakrishnan G., Choi J., Song H., Choi G., Kim Y.H., Ahn K.J., Kim D.-S., Planken P.C.M. // ACS Nano. 2014. V. 8. N 9. P. 9089--9096
  2. Maysonnave J., Huppert S., Wang F., Maero S., Berger C., de Heer W., Norris T.B., De Vaulchier L.A., Dhillon S., Tignon J., Ferreira R., Mangeney J. // Nano Lett. 2014. V. 14, N 10. P. 5797--5802
  3. Tian H., Chin M.L., Najmaei S., Guo Q., Xia F., Wang H., Dubey M. // Nano Res. 2016. V. 9. N 6. P. 1543--1560
  4. Брехов К.А., Гришунин К.А., Ильин Н.А., Шестакова А.П., Лавров С.Д., Мишина Е.Д. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. В. 24. С. 46--52
  5. Авдижиян А.Ю., Лавров С.Д., Кудрявцев А.В., Шестакова А.П., Васина М.В. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. В. 12. С. 42--44
  6. Huang Y., Zhu L., Zhao Q., Guo Y., Ren Z., Bai J., Xu X. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2017. V. 9. N 5. P. 4956--4965
  7. Zhang L., Huang Y., Zhao Q., Zhu L., Yao Z., Zhou Y., Du W., Xu X. // Phys. Rev. B. 2017. V. 96. N 15. P. 155202
  8. Лавров С.Д., Шестакова А.П., Авдижиян А.Ю., Мишина Е.Д. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. В. 22. С. 19--24
  9. Kumar A., Ahluwalia P.K. // Eur. Phys. J. B. 2012. V. 85. N 6. P. 186
  10. Fang H., Chuang S., Chang T.C., Takei K., Takahashi T., Javey A. // Nano Lett. 2012. V. 12. N 7. P. 3788--3792
  11. Docherty C.J., Parkinson P., Joyce H.J., Chiu M.-H., Chen C.-H., Lee M.-Y., Li L.-J., Herz L.M., Johnston M.B. // ACS Nano. 2014. V. 8. N 11. P. 11147--11153
  12. Буряков А.М. // Рос. технологический журнал. 2017. Т. 5. N 2. С. 22--31
  13. Stehle Y., Meyer H.M., Unocic R.R., Kidder M., Polizos G., Datskos P.G., Jackson R., Smirnov S.N., Vlassiouk I.V. // Chem. Mater. 2015. V. 27. N 23. P. 8041--8047
  14. Ghasemi F., Frisenda R., Dumcenco D., Kis A., Perez de Lara D., Castellanos-Gomez A. // Electronics. 2017. V. 6. N 2. P. 28
  15. Liu H.-L., Shen C.-C., Su S.-H., Hsu C.-L., Li M.-Y., Li L.-J. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. N 20. P. 201905
  16. Tan C.Z. // J. Non. Cryst. Solids. 1998. V. 223. N 1-2. P. 158--163
  17. Malitson I.H. // J. Opt. Soc. Am. 1965. V. 55. N 10. P. 1205--1209

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme