Вышедшие номера
Аномалии в фотовольтаических характеристиках многопереходных солнечных элементов при сверхвысоких концентрациях солнечного излучения
Переводная версия: 10.1134/S1063785019110099
Минтаиров М.А.1, Евстропов В.В.1, Минтаиров С.А.1, Шварц М.З.1, Калюжный Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mamint@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.

Исследована аномалия, возникающая в фотовольтаических характеристиках трехпереходных GaInP/GaAs/Ge и соответствующих двухпереходных GaInP/GaAs солнечных элементов при сверхвысоких концентрациях (более 2000 солнц) падающего излучения. Проанализированы световые вольт-амперные характеристики при различных концентрациях падающего излучения и зависимость напряжения холостого хода от фотогенерированного тока. Показано, что причиной аномалии является встречно включенный между субэлементами GaInP и GaAs туннельный диод, поглощающий прошедшие сквозь слои GaInP фотоны и генерирующий встречную фотоэдс. Ключевые слова: многопереходный солнечный элемент, концентрированное солнечное излучение, фотовольтаические характеристики, вольт-амперные характеристики, встречная электродвижущая сила, туннельный диод.