Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-37-20014
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-29-19047
Российский научный фонд, 18-79-10253
Швецов Б.С.1,2, Мацукатова А.Н.1,2, Миннеханов А.А.2, Несмелов А.А.2, Гончаров Б.В.2, Лапкин Д.А.2, Мартышов М.Н.1, Форш П.А.2,3, Рыльков В.В.2,4, Демин В.А.2, Емельянов А.В.
2,3
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский университет), Институт нано-, био-, информационных, когнитивных и социогуманитарных наук и технологий, Москва, Россия
4Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
Email: b.shvetsov15@physics.msu.ru, emelyanov_av@nrcki.ru
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.
Представлены результаты создания и изучения гибких мемристивных структур на основе слоев полипараксилилена, которые демонстрируют стабильные резистивные переключения и обладают устойчивостью к изгибам вплоть до радиусов 10 mm. Предложена двухшаговая схема установления резистивного состояния мемристивной структуры, основанная на контроле значения предельного тока, протекающего через структуру. Полученные результаты открывают возможность использования мемристивных структур на основе слоев полипараксилилена для нейроморфных вычислительных систем и биосовместимой "носимой" электроники. Ключевые слова: мемристор, органическая электроника, полипараксилилен, гибкие структуры.
- Ouyang J., Chu C.W., Szmanda C.R., Ma L., Yang Y. // Nature Mater. 2004. V. 3. N 12. P. 918--922
- Erokhin V., Berzina T., Fontana M.P. // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. N 6. P. 064501
- Strukov D.B., Snider G.S., Stewart D.R., Williams R.S. // Nature. 2008. V. 453. N 7191. P. 80
- Li Y., Wang Z., Midya R., Xia Q., Yang J.J. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2018. V. 51. N 50. Р. 503002
- Белов А.И., Михайлов А.Н., Королев Д.С., Сергеев В.А., Антонов И.Н., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. В. 10. С. 17--24
- Рыльков В.В., Николаев С.Н., Демин В.А., Емельянов А.В., Ситников А.В., Никируй К.Э., Леванов В.А., Пресняков М.Ю., Талденков А.Н., Васильев А.Л., Черноглазов К.Ю., Веденеев А.С., Калинин Ю.Е., Грановский А.Б., Тугушев В.В., Бугаев А.С. // ЖЭТФ. 2018. Т. 153. В. 3. С. 424--441
- Никируй К.Э., Емельянов А.В., Рыльков В.В., Ситников А.В., Демин В.А. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. В. 8. С. 19--23
- van de Burgt, Melianas A., Keene S.T., Malliaras G., Salleo A. // Nature Electron. 2018. V. 1. N 7. P. 386--397
- Kondo T., Lee S.M., Malicki M., Domercq B., Marder S.R., Kippelen B. // Adv. Funct. Mater. 2008. V. 18. N 7. P. 1112--1118
- Chang Y.-C., Wang Y.-H. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2014. V. 6. N 8. P. 5413--5421
- Lapkin D.A., Emelyanov A.V., Demin V.A., Erokhin V.V., Feigin L.A., Kashkarov P.K., Kovalchuk M.V. // Appl. Phys. Lett. 2018. V. 112. N 4. P. 043302. DOI: 10.1063/1.5013929
- Ji Y., Cho B., Song S., Kim T.-W., Choe M., Kahng Y.H., Lee T. // Adv. Mater. 2010. V. 22. N 28. P. 3071--3075
- Song S., Jang J., Ji Y., Park S., Kim T.-W., Song Y., Yoon M.-H., Ko H.C., Jung G.-Y., Lee T. // Organ. Electron. 2013. V. 14. N 8. P. 2087--2092
- Cai Y., Tan J., YeFan L., Lin M., Huang R. // Nanotechnology. 2016. V. 27. N 27. P. 275206
- Chen Q., Lin M., Wang Z., Zhao X., Cai Y., Liu Q., Fang Y., Yang Y., He M., Huang R. // Adv. Electron. Mater. 2019. P. 1800852. First published: 13 February 2019. https://doi.org/10.1002/aelm.201800852
- Minnekhanov A.A., Emelyanov A.V., Lapkin D.A., Nikiruy K.E., Shvetsov B.S., Nesmelov A.A., Rylkov V.V., Demin V.A. // Organ. Electron. 2019. V. 74. P. 89--95
- Resistive switching: from fundamentals of nanoionic redox processes to memristive device applications / Eds D. Ielmini, R. Waser. Weinheim: Wiley-VCH Verlag, 2016. 755 p
- Wang W., Wang M., Ambrosi E., Bricalli A., Laudato M., Sun Z., Chen X., Ielmini D. // Nature Commun. 2019. V. 10. N 1. P. 81
- Lee C.D., Meng E. // Front. Mech. Eng. 08 September 2015. https://doi.org/10.3389/fmech.2015.00010
- Никируй К.Э., Емельянов А.В., Демин В.А., Рыльков В.В., Ситников А.В., Кашкаров П.К. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. В. 10. С. 20--28
- Wang Z., Li C., Song W., Rao M., Belkin D., Li Y., Yan P., Jiang H., Lin P., Hu M., Strachan J.P., Ge N., Barnell M., Wu Q., Barto A.G., Qiu Q., Williams R.S., Xia Q., Yang J.J. // Nature Electron. 2019. V. 2. N 3. P. 115--124
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
