Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2019, выпуск 21 » Статья стр. 40
<<<>>>
Мемристоры на основе полипараксилилена на гибких подложках
DOI: 10.21883/PJTF.2019.21.48473.17974
Переводная версия: 10.1134/S1063785019110130
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-37-20014
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-29-19047
Российский научный фонд, 18-79-10253
Швецов Б.С.1,2, Мацукатова А.Н.1,2, Миннеханов А.А.2, Несмелов А.А.2, Гончаров Б.В.2, Лапкин Д.А.2, Мартышов М.Н.1, Форш П.А.2,3, Рыльков В.В.2,4, Демин В.А.2, Емельянов А.В. 2,3
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский университет), Институт нано-, био-, информационных, когнитивных и социогуманитарных наук и технологий, Москва, Россия
4Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
Email: b.shvetsov15@physics.msu.ru, emelyanov_av@nrcki.ru
Поступила в редакцию: 11 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.
PDF версия
Представлены результаты создания и изучения гибких мемристивных структур на основе слоев полипараксилилена, которые демонстрируют стабильные резистивные переключения и обладают устойчивостью к изгибам вплоть до радиусов 10 mm. Предложена двухшаговая схема установления резистивного состояния мемристивной структуры, основанная на контроле значения предельного тока, протекающего через структуру. Полученные результаты открывают возможность использования мемристивных структур на основе слоев полипараксилилена для нейроморфных вычислительных систем и биосовместимой "носимой" электроники. Ключевые слова: мемристор, органическая электроника, полипараксилилен, гибкие структуры.
  1. Ouyang J., Chu C.W., Szmanda C.R., Ma L., Yang Y. // Nature Mater. 2004. V. 3. N 12. P. 918--922
  2. Erokhin V., Berzina T., Fontana M.P. // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. N 6. P. 064501
  3. Strukov D.B., Snider G.S., Stewart D.R., Williams R.S. // Nature. 2008. V. 453. N 7191. P. 80
  4. Li Y., Wang Z., Midya R., Xia Q., Yang J.J. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2018. V. 51. N 50. Р. 503002
  5. Белов А.И., Михайлов А.Н., Королев Д.С., Сергеев В.А., Антонов И.Н., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. В. 10. С. 17--24
  6. Рыльков В.В., Николаев С.Н., Демин В.А., Емельянов А.В., Ситников А.В., Никируй К.Э., Леванов В.А., Пресняков М.Ю., Талденков А.Н., Васильев А.Л., Черноглазов К.Ю., Веденеев А.С., Калинин Ю.Е., Грановский А.Б., Тугушев В.В., Бугаев А.С. // ЖЭТФ. 2018. Т. 153. В. 3. С. 424--441
  7. Никируй К.Э., Емельянов А.В., Рыльков В.В., Ситников А.В., Демин В.А. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. В. 8. С. 19--23
  8. van de Burgt, Melianas A., Keene S.T., Malliaras G., Salleo A. // Nature Electron. 2018. V. 1. N 7. P. 386--397
  9. Kondo T., Lee S.M., Malicki M., Domercq B., Marder S.R., Kippelen B. // Adv. Funct. Mater. 2008. V. 18. N 7. P. 1112--1118
  10. Chang Y.-C., Wang Y.-H. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2014. V. 6. N 8. P. 5413--5421
  11. Lapkin D.A., Emelyanov A.V., Demin V.A., Erokhin V.V., Feigin L.A., Kashkarov P.K., Kovalchuk M.V. // Appl. Phys. Lett. 2018. V. 112. N 4. P. 043302. DOI: 10.1063/1.5013929
  12. Ji Y., Cho B., Song S., Kim T.-W., Choe M., Kahng Y.H., Lee T. // Adv. Mater. 2010. V. 22. N 28. P. 3071--3075
  13. Song S., Jang J., Ji Y., Park S., Kim T.-W., Song Y., Yoon M.-H., Ko H.C., Jung G.-Y., Lee T. // Organ. Electron. 2013. V. 14. N 8. P. 2087--2092
  14. Cai Y., Tan J., YeFan L., Lin M., Huang R. // Nanotechnology. 2016. V. 27. N 27. P. 275206
  15. Chen Q., Lin M., Wang Z., Zhao X., Cai Y., Liu Q., Fang Y., Yang Y., He M., Huang R. // Adv. Electron. Mater. 2019. P. 1800852. First published: 13 February 2019. https://doi.org/10.1002/aelm.201800852
  16. Minnekhanov A.A., Emelyanov A.V., Lapkin D.A., Nikiruy K.E., Shvetsov B.S., Nesmelov A.A., Rylkov V.V., Demin V.A. // Organ. Electron. 2019. V. 74. P. 89--95
  17. Resistive switching: from fundamentals of nanoionic redox processes to memristive device applications / Eds D. Ielmini, R. Waser. Weinheim: Wiley-VCH Verlag, 2016. 755 p
  18. Wang W., Wang M., Ambrosi E., Bricalli A., Laudato M., Sun Z., Chen X., Ielmini D. // Nature Commun. 2019. V. 10. N 1. P. 81
  19. Lee C.D., Meng E. // Front. Mech. Eng. 08 September 2015. https://doi.org/10.3389/fmech.2015.00010
  20. Никируй К.Э., Емельянов А.В., Демин В.А., Рыльков В.В., Ситников А.В., Кашкаров П.К. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. В. 10. С. 20--28
  21. Wang Z., Li C., Song W., Rao M., Belkin D., Li Y., Yan P., Jiang H., Lin P., Hu M., Strachan J.P., Ge N., Barnell M., Wu Q., Barto A.G., Qiu Q., Williams R.S., Xia Q., Yang J.J. // Nature Electron. 2019. V. 2. N 3. P. 115--124

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme