Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование спектров фотолюминесценции нанокристаллов AgInS2/ZnS при воздействии γ-излучения
Переводная версия: 10.1134/S1063785019110087 
Мазинг Д.С.
1, Романов Н.М.
2,3, Мошников В.А.
1, Александрова О.А.
1, Корепанов О.А.
1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Лаппеенрантский технологический университет, Лаппеенранта, Финляндия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Лаппеенрантский технологический университет, Лаппеенранта, Финляндия
Email: dmazing@yandex.ru, nikromanov.90@gmail.com, vamoshnikov@mail.ru, okrpnv@gmail.com
Поступила в редакцию: 25 июня 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.
Исследовано влияние различных доз γ-излучения источника 137Cs на фотолюминесценцию нанокристаллов системы Ag-In-S с оболочкой из более широкозонного полупроводника ZnS и без оболочки. Показана динамика изменения фотолюминесценции нанокристаллов в зависимости от дозы γ-излучения. Установлено, что наночастицы системы AgInS2/ZnS сохраняют свои фотолюминесцентные свойства и коллоидную устойчивость при достижении поглощенной дозы 6· 103 Gy (по воде). Остаточная фотолюминесценция сохраняется вплоть до достижения поглощенной дозы 106 Gy по H2O. Показано, что нанокристаллы AgInS2/ZnS могут быть использованы в медицинских и биологических исследованиях, при которых необходима повышенная устойчивость к воздействию γ-излучения. Ключевые слова: нанокристаллы, фотолюминесценция, гамма-излучение.
- Aldakov D., Lefran cois A., Reiss P. // J. Mater. Chem. C. 2013. V. 1. N 24. P. 3756--3776
- Mao B.D., Chuang C.H., Wang J.W., Burda C. // J. Phys. Chem. C. 2011. V. 115. N 18. P. 8945--8954
- Mazing D.S., Korepanov O.A., Aleksandrova O.A., Moshnikov V.A. // Optics and Spectroscopy. 2018. V. 125. N 5. P. 773--776
- Regulacio M.D., Win K.Y., Lo S.L., Zhang S.Y., Zhang X., Wang S., Han M.Y., Zheng Y. // Nanoscale. 2013. V. 5. N 6. P. 2322--2327
- Matyushkin L.B., Romanov N.M. // J. Opt. Technol. 2018. V. 85. N 2 P. 119--121
- Истомина М.С., Печникова Н.А., Королёв Д.В., Почкаева Е.И., Мазинг Д.С., Галагудза М.М., Мошников В.А., Шляхто Е.В. // Вестн. РГМУ. 2018. В. 6. P. 103--110
- Исследование, технология и использование нанопористых носителей лекарств в медицине / Под ред. В.Я. Шевченко, О.И. Киселева, В.Н. Соколова. СПб.: Химиздат, 2015. 368 с
- Liu L., Hu R., Law W.C., Roy I., Zhu J., Ye L., Yong K.T. // Analyst. 2013. V. 138. N 20. P. 6144--6153
- Yarema O., Yarema M., Wood V. // Chem. Mater. 2018. V. 30. N 5. P. 1446--1461
- Khemiri N., Abdelkader D., Khalfallah B., Kanzari M. // Open J. Synth. Theory Appl. 2013. V. 2. N 1. P. 33--37
- Горюнова Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Сов. радио, 1968. 286 с
- Xiang W.D., Xie C.P., Wang J., Zhong J.S., Liang X.J., Yang H.L., Luo L., Chen Z.P. // J. Alloy Compd. 2014. V. 588. P. 114--121
- Tsuji I., Kato H., Kobayashi H., Kudo A. // J. Am. Chem. Soc. 2004. V. 126. N 41. P. 13406--13413
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
