Вышедшие номера
InAlAs/InGaAs/InP HEMTs с композитным каналом и улучшенными пробивными характеристиками
Переводная версия: 10.1134/S1063785019110075
Президиума РАН, Фотонные технологии в зондировании неоднородных сред и биообъектов", № 5
Малеев Н.А1,2, Васильев А.П. 3, Кузьменков А.Г. 3, Бобров М.А. 1, Кулагина М.М. 1, Трошков С.И. 1, Малеев С.Н.1, Беляков В.А.4, Петрякова Е.В.4, Кудряшова Ю.П.4, Фефелова Е.Л.4, Макарцев И.В.4, Блохин С.А. 1, Ахмедов Ф.А.5, Егоров А.В.5, Фефелов А.Г.4, Устинов В.М. 1,2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4НПП "Салют", Нижний Новгород, Россия
5НПО "Техномаш", Москва, Россия
Email: maleev@beam.ioffe.ru, vasiljev@mail.ioffe.ru, kuzmenkov@mail.ioffe.ru, bobrov.mikh@gmail.com, Marina.Kulagina@mail.ioffe.ru, S.Troshkov@mail.ioffe.ru, serg-maleev@yandex.ru, dragon_bel@mail.ru, petryakova-ek@yandex.ru, pjup@mail.ru, fefelovaelena69@gmail.com, ilya0296@gmail.com, Blokh@mail.ioffe.ru, f.ahmedov@tmnpo.ru, whitelotos@gmail.com, fefelovandrey@gmail.com, Vmust@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 3 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.

Разработаны транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs/InP, обладающие улучшенными пробивными характеристиками. В приборах используется структура композитного канала InGaAs в сочетании с полностью селективным процессом формирования двойной подзатворной канавки. HEMT с длиной T-образного затвора 120 nm, состоящего из четырех пальцев шириной по 30 μm, демонстрируют максимальную измеренную удельную крутизну вольт-амперной характеристики 810 mS/mm, максимальную плотность тока стока 460 mA/mm и пробивное напряжение затвор-сток 8-10 V. Предельная частота усиления транзисторов по току превышает 115 GHz. Благодаря увеличенному пробивному напряжению и технологии формирования двойной затворной канавки методом селективного травления разработанные транзисторы перспективны для использования в монолитных интегральных схемах усилителей средней мощности миллиметрового диапазона. Ключевые слова: транзистор, HEMT, InP, пробивное напряжение, миллиметровый диапазон.