InAlAs/InGaAs/InP HEMTs с композитным каналом и улучшенными пробивными характеристиками
Малеев Н.А
1,2, Васильев А.П.
3, Кузьменков А.Г.
3, Бобров М.А.
1, Кулагина М.М.
1, Трошков С.И.
1, Малеев С.Н.
1, Беляков В.А.
4, Петрякова Е.В.
4, Кудряшова Ю.П.
4, Фефелова Е.Л.
4, Макарцев И.В.
4, Блохин С.А.
1, Ахмедов Ф.А.
5, Егоров А.В.
5, Фефелов А.Г.
4, Устинов В.М.
1,2,31Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4НПП "Салют", Нижний Новгород, Россия
5НПО "Техномаш", Москва, Россия
Email: maleev@beam.ioffe.ru, vasiljev@mail.ioffe.ru, kuzmenkov@mail.ioffe.ru, bobrov.mikh@gmail.com, Marina.Kulagina@mail.ioffe.ru, S.Troshkov@mail.ioffe.ru, serg-maleev@yandex.ru, dragon_bel@mail.ru, petryakova-ek@yandex.ru, pjup@mail.ru, fefelovaelena69@gmail.com, ilya0296@gmail.com, Blokh@mail.ioffe.ru, f.ahmedov@tmnpo.ru, whitelotos@gmail.com, fefelovandrey@gmail.com, Vmust@beam.ioffe.ru
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.
Разработаны транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs/InP, обладающие улучшенными пробивными характеристиками. В приборах используется структура композитного канала InGaAs в сочетании с полностью селективным процессом формирования двойной подзатворной канавки. HEMT с длиной T-образного затвора 120 nm, состоящего из четырех пальцев шириной по 30 μm, демонстрируют максимальную измеренную удельную крутизну вольт-амперной характеристики 810 mS/mm, максимальную плотность тока стока 460 mA/mm и пробивное напряжение затвор-сток 8-10 V. Предельная частота усиления транзисторов по току превышает 115 GHz. Благодаря увеличенному пробивному напряжению и технологии формирования двойной затворной канавки методом селективного травления разработанные транзисторы перспективны для использования в монолитных интегральных схемах усилителей средней мощности миллиметрового диапазона. Ключевые слова: транзистор, HEMT, InP, пробивное напряжение, миллиметровый диапазон.
- Kim D.H., Brar B., del Alamo J.A. // 2011 Int. Electron Devices Meeting. IEEE, 2011. P. 13.6.1-13.6.4
- Schleeh J. Cryogenic ultra-low noise InP high electron mobility transistors. PhD Thesis. Chalmers University of Technology, 2013. 58 p
- Mei X.B., Yoshida W., Zhou Z., Lange M., Lee J., Liu P.H., Leong K., Lai R., Deal W.R. // Extended Abstracts of the 2015 Int. Conf. on solid state devices and materials. Sapporo, Japan, 2015. M-1-3. P. 1034--1035
- del Alamo J.A., Somerville M.H. // IEEE J. Solid-State Circuits. 1999. V. 34. P. 1204--1211
- Kong W.M.T., Wang S.C., Chao P.-C., Tu D.-W., Hwang K., Tang O.S.A., Liu S.-M., Ho P., Nichols K., Heaton J. // IEEE Electron. Dev. Lett. 2000. V. 21. P. 521--523
- Radisic V., Leong K.M.K.H., Sarkozy S., Mei X., Yoshida W., Liu P.-H., Deal W.R., Lai R. // IEEE J. Solid-State Circuits. 2012. V. 47. P. 2291--2297
- Chen Y.C., Lai R., Wang H., Yen H.C., Streit D., Dia R.M., Jones W., Block T., Liu P.H., Huang T.-W., Chou Y.C., Stamper K. // Int. Conf. on indium phosphide and related materials. IEEE, 1997. P. 509--512
- Zhong Y., Wang X., Su Y., Cao Y., Zhi J., Zhang Y., Liu X. // J. Semicond. 2012. V. 33. P. 054007
- Boos J.B., Kruppa W. // Electron. Lett. 1991. V. 27. P. 1909--1910
- Aadit M.N.A., Kirtania S.G., Afrin F., Alam Md.K., Khosru Q.D.M. High electron mobility transistors // Different types of field-effect transistors. Theory and applications / Ed. M. Pejovic. InTech Open, 2017. P. 45--64. http://dx.doi.org/10.5772/67796
- Chertouk M., Heiss H., Xu D., Kraus S., Klein W., Bohm G., Trankle G., Weimann G. // IEEE Electron Dev. Lett. 1996. V. 17. P. 273--275
- Enoki T., Arai K., Kohzen A., Ishii Y. // Proc. of Int. Conf. on indium phosphide and related material. IEEE, 1992. P. 14--17
- Ouchi K., Mishima T., Kudo M., Ohta O. // Jpn. J. Appl. Phys. 2002. V. 41. P. 1004--1007
- Boudrissa M., Delos E., Wallaert X., Theron D., Jaeger J. // IEEE Electron Device Lett. 2001. V. 22. P. 257--259
- Wang S.C., Liu J.S., Hwang K.C., Kong W., Tu D.W., Ho P., Mohnkern L., Nichols K., Chao P.C. // IEEE Electron. Dev. Lett. 2000. V. 21. P. 335--337
- Тихомиров В.Г., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Соловьев Ю.В., Гладышев А.Г., Кулагина М.М., Земляков В.Е., Дудинов К.В., Янкевич В.Б., Бобыль А.В., Устинов В.М. // ФТП. 2011. Т. 45. В. 10. С. 1405--1409
- Bouloukou A., Sobih A., Kettle D., Sly J., Missous M. // Proc. of the 4th ESA Workshop on millimetre wave technology and applications. Espoo, Finland, 2006. P. 221--226
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
