"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Гетероструктуры GaxIn1-xAsyBizSb1-y-z/InSb для фотоприемных устройств (λ = 6-12 μm)
Переводная версия: 10.1134/S1063785019080285
Лунин Л.С.1, Лунина М.Л.1, Пащенко А.С.1,2, Алфимова Д.Л.1, Пащенко О.С.1
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 30 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.

Методом зонной перекристаллизации градиентом температуры получены изопараметрические гетероструктуры GaxIn1-xAsyBizSb1-y-z/InSb для фотоприемных устройств, работающих в диапазоне длин волн 6-12 μm. Введение висмута в твердый раствор GaInAsSb позволяет осуществить уменьшение ширины запрещенной зоны Eg и соответственно расширить спектральный диапазон до 12 μm, а также сдвинуть максимум фоточувствительности в длинноволновую область. Ключевые слова: изопараметрические гетероструктуры, фотоприемники, ИК-детекторы, абсолютная спектральная чувствительность, вольт-ваттная характеристика.
  1. Riordan N.A., Gogineni C., Johnson S.R., Lu X., Tiedje T., Ding D., Zhang Y.-H., Fritz R., Kolata K., Chatterjee S., Volz K., Koch S.W. // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2012. V. 23. N 10. P. 1799--1804. https://doi.org/10.1007/s10854-012-0665-1
  2. Wang L., Zhang L., Yue L., Liang D., Chen X., Li Y., Lu P., Shao J., Wang S. // Crystals. 2017. V. 7. N 3. P. 63. https://doi.org/10.3390/cryst7030063
  3. Алфимова Д.Л., Лунина М.Л., Лунин Л.С., Пащенко А.С., Казакова А.Е. // ФТТ. 2018. Т. 60. В. 7. С. 1277--1282. DOI: 10.21883/FTT.2018.07.46109.194
  4. Song Y., Gu Y., Shao J., Wang S. // Springer Ser. Mater. Sci. 2013. V. 186. P. 1--27. https://doi.org/10.1007/978-1-4614-8121-8\_1
  5. Dhar S. // Springer Ser. Mater. Sci. 2013. V. 186. P. 141--165. https://doi.org/10.1007/978-1-4614-8121-8\_6
  6. Webster P.T., Shalindar A.J., Schaefer S.T., Johnson S.R. // Appl. Phys. Lett. 2017. V. 111. N 8. P. 082104. https://doi.org/10.1063/1.4994847
  7. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1987. 232 с
  8. Padalko A.G., Lazarev V.B., Perry F.S. Medium impedance room temperature indium antimonide thin layer detectors // Conf. Lasers and Electro-Optics Europe. IEEE, 1994. P. 336. https://doi.org/10.1109/CLEOE.1994.636588

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.