На основе данных исследования атомной плотности пленки и степени ее однородности в процессе формирования границы раздела 3d-переходных металлов (Cr, Co, Fe, Cu) на кремнии обосновывается новая концепция формирования контакта химически активного металла с полупроводником. Согласно этой концепции, при низкотемпературном парофазном осаждении металла на полупроводник происходит формирование двумерного нанофазного смачивающего слоя металла или его смеси с кремнием толщиной в несколько монослоев, который оказывает существенное влияние на процесс формирования и структуру границы раздела. Эта концепция изменяет взгляд на формирование контакта металла с полупроводниковой подложкой: необходимо учитывать не только процессы образования поверхностных фаз, кластеров и/или процесс перемешивания, но и эффект упругого смачивания подложки образующимися фазами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.