Моделирование деформации многокристальных сборок NAND-памяти
Министерство образования и науки Российской Федерации, Федеральная целевая программа «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014—2020 годы», 14.580.21.0009
Беляев М.А.
1, Путролайнен В.В.
1, Романенко В.А.
21Петрозаводский государственный университет, Петрозаводск, Россия
2ДжиЭс-Нанотех, Гусев, Калининградская обл., Россия
Email: biomax89@ya.ru, vputr@psu.karelia.ru, v.romanenko@gsnanotech.com
Поступила в редакцию: 17 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.
Численно промоделирована деформация многокристальных сборок NAND-памяти при различных значениях толщин подложки и кристаллов. Результаты моделирования согласуются с экспериментальными данными. Показана эквивалентность деформации одно- и многокристальных сборок при одинаковой суммарной толщине кремния. Предложена аналитическая зависимость деформации от толщины подложки и суммарной толщины кремния, которая достаточно хорошо совпадает с модельными данными и может быть использована для предварительной оценки деформации.
- Micheloni R., Aritome S., Crippa L. // Proc. IEEE. 2017. V. 105. P. 1634-1649
- Kung H.-K., Hsieh C.-L. // J. Electron. Packaging. 2017. V. 139. P. 041002
- Электронный ресурс. Режим доступа: https://www.jedec.org/standards-documents/docs/spp-024a
- Ardebili H., Pecht M.G. Encapsulation technologies for electronic applications. Oxford: Elsevier, 2009. 480 p
- Ahsan T., Tang H. // Proc. 10th Electronics Packaging Technology Conf. Singapore, IEEE, 2008. P. 1421-1426
- Chiu T.-C., Huang H.-W., Lai Y.-S. // Microelectron. Reliab. 2011. V. 51. P. 2263-2273
- Zhao B., Pai V., Brahateeswaran C., Hu G., Chew S., Chin N. // Proc. 7th Int. Conf. on electronic packaging technology. Shanghai, IEEE, 2006. P. 1-5
- Freund L.B., Floro J.A., Chason E. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. P. 1987-1989
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
