Вышедшие номера
Достоверность выявления пронизывающих дислокаций в эпитаксиальных пленках с помощью структурно-чувствительного травления
Переводная версия: 10.1134/S1063785018100218
Дерябин А.С.1, Соколов Л.В.1, Труханов Е.М.1, Фрицлер К.Б.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: trukh@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 6 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.

На примере гетероструктур Ge/Si(001) рассмотрено соответствие между пронизывающими дислокациями (ПД) и ямками, выявляемыми методом селективного структурного травления. Для пленок, толщина которых h≤1 mum, показано, что недостаточное разрешение оптической микроскопии приводит к значительному занижению плотности ПД. Приведены рекомендации для повышения достоверности оценки плотности ПД методом травления.