"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Прецизионный алгоритм переключения мемристора в состояние с заданным сопротивлением
Переводная версия: 10.1134/S106378501805022X
Российский научный фонд, 16-19-10233
Никируй К.Э.1,2, Емельянов А.В. 1,2, Демин В.А.1,2, Рыльков В.В.1, Ситников А.В.3, Кашкаров П.К.1,2,4
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
3Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
4Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: NikiruyKristina@gmail.com
Поступила в редакцию: 30 октября 2017 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2018 г.

Развит алгоритм перевода мемристора в состояние с заданным сопротивлением с высокой точностью. Алгоритм основан на подаче импульсов напряжения с плавно растущей амплитудой и случайным образом изменяющейся длительностью в заданных пределах. Продемонстрирована возможность реализации алгоритма на примере мемристорных структур на основе нанокомпозита (Co40Fe40B20)x(LiNbO3)100-x с x~10 at.%. Подобраны оптимальные параметры для работы алгоритма с минимальным количеством итераций, позволившие достичь в этом случае точности задания сопротивления не хуже 0.5%. Полученные результаты могут быть использованы при создании нейроморфных систем.
  1. Strukov D.B., Snider G.S., Stewart D.R., Williams R.S. // Nature. 2008. V. 453. P. 80--83
  2. Lee J.S., Lee S., Noh T.W. // Appl. Phys. Rev. 2015. V. 2. P. 031303
  3. Ielmini D. // Semicond. Sci. Technol. 2016. V. 31. P. 063002
  4. Emelyanov A.V., Lapkin D.A., Demin V.A., Erokhin V. V., Battistoni S., Baldi G., Dimonte A., Korovin A.N., Iannotta S., Kashkarov P.K., Kovalchuk M.V. // AIP Advances. 2016. V. 6. P. 111301
  5. Demin V.A., Emelyanov A.V., Lapkin D.A., Erokhin V.V., Kashkarov P.K., Kovalchuk M.V. // Cryst. Rep. 2016. V. 61. N 6. P. 992--1001
  6. Alibart F., Zamanidoost E., Strukov D.B. // Nature Commun. 2013. V. 4. P. 2072 (1--7)
  7. Jo K.-H., Jung C.-M., Min K.-S., Kang S.-M. // IEEE Trans. Nanotechnol. 2010. V. 9. N 6. P. 675--678
  8. Kim K.M., Lee S.R., Kim S., Chang M., Hwang C.S. // Adv. Funct. Mater. 2015. V. 25. N 10. P. 1527--1534
  9. Vourkas I., Gomez J., Abusleme A., Vasileiadis N., Sirakoulis G.Ch., Rubio A. Exploring the voltage divider approach for accurate memristor state tuning // LASCAS-2017. Bariloche, 2017. P. 1--4
  10. Kim K.M., Yang J.J., Strachan J.P., Grafals E.M., Ge N., Melendez N.D., Li Z., Williams R.S. // Sci. Rep. 2016. V. 6. P. 20085
  11. Alibart F., Gao L., Hoskins B.D., Strukov D.B. // Nanotechnology. 2012. V. 23. P. 075201
  12. Калинин Ю.Е., Ремизов А.Н., Ситников А.В. // ФТТ. 2004. Т. 46. В. 11. С. 2076--2082
  13. Рыльков В.В., Николаев С.Н., Демин В.А., Емельянов А.В., Ситников А.В., Никируй К.Э., Леванов В.А., Пресняков М.Ю., Талденков А.Н., Васильев А.Л., Черноглазов К.Ю., Веденеев А.С., Калинин Ю.Е., Грановский А.Б., Тугушев В.В., Бугаев А.С. // ЖЭТФ 2018. Т. 153. В. 3. С. 424--441
  14. Udalov O.G., Chtchelkatchev N.M., Glatz A., Beloborodov I.S. // Phys. Rev. B. 2014. V. 89. P. 054203
  15. Shaposhnikov A.V., Perevalov T.V., Gritsenko V.A., Cheng C.H., Chin A. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. P. 243506

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.