Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2016, выпуск 21 » Статья стр. 39
<<<>>>
Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом
DOI: 10.21883/pjtf.2016.21.43839.16264
Емцев В.В.1, Заварин Е.Е.1, Козловский М.А.1, Кудояров М.Ф.1, Лундин В.В.1, Оганесян Г.А.1, Петров В.Н.1, Полоскин Д.С.1, Сахаров А.В.1, Трошков С.И.1, Шмидт Н.М.1, Вьюгинов В.Н.2, Зыбин А.А.2, Парнес Я.М.2, Видякин С.И.3, Гудков А.Г.3, Черняков А.Е.4, Козловский В.В.5
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ЗАО "Светлана-Электронприбор", Санкт-Петербург, Россия
3Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
4НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: Natalia.Shmidt@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.
PDF версия
Показано, что взаимодействие протонов с энергией 1 MeV и дозами (0.5-2)·1014 cm-2 с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом (AlGaN/GaN-HEMT) сопровождается не только генерацией точечных дефектов, но и образованием локальных областей с разупорядоченным наноматериалом. Степень разупорядоченности наноматериала оценивалась количественно методами мультифрактального анализа. Увеличение степени разупорядоченности наноматериала, наиболее ярко проявляющееся при дозе протонов 2· 1014 cm-2, приводит к падению подвижности и электронной плотности в двумерном канале HEMT-структур в несколько раз. При этом на транзисторах наблюдается падение величины тока сток-исток и рост тока утечки затвора на порядок. В HEMT-структурах с повышенной разупорядоченностью наноматериала до воздействия протонов, облучение протонами, даже с дозой 1· 1014 cm-2, приводит к подавлению двумерной проводимости в канале и выходу из строя транзисторов.
  1. Коноплева Р.Ф., Остроумов В.Н. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с германием и кремнием. М.: Атомиздат, 1975. С. 128
  2. Оболенский C.B. // Микроэлектроника. 2004. N 2. С. 153--159
  3. Shmidt N.M., Kolmakov A.G., Emtsev V.V., Lundin W.V. // Nanotechnology. 2001. V. 12. P. 471--474
  4. Shabunina E., Averkiev N., Chernyakov A. et al. // Phys. Status Solidi. C. Curr. Top. Solid State Phys. 2013. V. 10. P. 335--337
  5. Torkhov N.A., Novikov V.A. // Semiconductors. 2011. V. 45. P. 69--78
  6. Встовский Г.В., Колмаков А.Г., Бунин И.Ж. Введение в мультифрактальную параметризацию структур материалов. М.: Центр, 2001. C. 116
  7. Ankudinov A.V., Besyulkin A.I., Kolmakov A.G. et al. // Physica. B. 2003. V. 340--342. P. 462--466
  8. Shalygin V.A.,Vorobjev L.E., Firsov D.A. et al. // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. P. 073 108
  9. Громов Д., Чуков Г. Влияние радиации на гетероструктурные СВЧ приборы и интегральные схемы. Palamarium Academic Publishing, 2012. C. 91

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme