"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Буферные слои аморфного углерода для отделения свободных пленок нитрида галлия
Алтахов А.С. 1, Горбунов Р.И. 2, Кашарина Л.А. 1, Латышев Ф.Е. 3, Тарала В.А. 1, Шретер Ю.Г. 2
1Северо-Кавказский федеральный университет, Ставрополь
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3OOO "НТС", Санкт-Петербург
Email: altakhov@gmail.com, vitaly-tarala@yandex.ru
Поступила в редакцию: 7 июня 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

Исследована возможность использования пленок аморфного алмазоподобного углерода (diamond-like carbon, DLC) для самоотделения слоев нитрида галлия (GaN), выращенного методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. Пленки DLC были синтезированы методом плазмохимического осаждения при пониженном давлении на подложках сапфира (Al2O3) с кристаллографической ориентацией (0001). Проведены исследования образцов методами комбинационного рассеяния света и рентгеноструктурного анализа. Показано, что тонкие пленки DLC не оказывают существенного влияния на процессы зарождения и роста пленок нитрида галлия. При этом уменьшается прочность границы раздела "пленка GaN-подложка Al2O3", что способствует отделению слоев GaN.
  1. Meyer D.J. et al. // IEEE Electron Device Lett. 2013. V. 34. N 2. P. 199--201
  2. Rahman S.S. et al. // AIP Advanses. 2014. N 4. P. 077119-(1--8)
  3. Dwilinski R. et al. // J. Cryst. Growth. 2010. V. 312. N 18. P. 2499--2502
  4. Bockowski M. et al. //J. Cryst. Growth. 2008. V. 310. N 17. P. 3924--3933
  5. Mori Y. et al. // J. Solid State Sci. Technol. 2013. V. 2. N 8. P. N3068--N3071
  6. Motoki K. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2001. V. 40. P. L140--L143
  7. Miskys C.R. et al. // Phys. Status Solidi (c). 2003. V. 0. N 6. P. 1627--1650
  8. Williams A.D., Moustakas T.D. // J. Cryst. Growth. 2007. V. 300. N 1. P. 37--41
  9. Вороненков В.В. Дис. канд. физ.-мат. наук. 2014. 174 с
  10. Sasaki H. et al. // Phys. Status Solidi (a). 2009. V. 206. N 6. P. 1160--1163
  11. Yoshida T. et al. // J. Crystal Growth. 2008. V. 310. N 1. P. 5--7
  12. Lee Hyun-Jae et al. // Phys. Status Solidi (c). 2009. V. 6. N 2. P. S313--S316
  13. Tae Hoon Seo et al. // Sci. Reports. 2015. N 5. P. 07747-(1--7)
  14. Pecz B. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2015. N 30. P. 114001-(1--6)
  15. Патент 2543212 РФ. Способ выращивания эпитаксиальной пленки нитрида третьей группы на ростовой подложке / Шретер Ю.Г., Ребане Ю., Миронов А.В. 2015
  16. Горбунов Р.И. и др. // 7-я Всерос. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы". Москва, 1-3 февраля 2010. С. 135--136
  17. Ferrari A.C., Robertson J. // Phil. Trans. R. Soc. Lond. A. 2004. P. 2477--2512
  18. Li P.G., Lei M., Tang W.H. // Mater. Lett. 2010. N 64. P. 161--163
  19. Casiraghia C. et al. // Diamond Relat. Mater. 2005. V. 14. P. 1098--1102
  20. Peter S. et al. // Diamond Relat. Mater. 2014. V. 45. P. 43--57
  21. Kaniyoor A., Ramaprabhu S. // AIP Advances. 2012. N 2. P. 032 183-(1--13)
  22. Ferrari A.C. // Solid State Commun. 2007. N 143. P. 47--57
  23. Murugkar S. et al. // J. Appl. Phys. 1995. V. 77. N 11. P. 6042--6043
  24. Haboeck U. et al. // Phys. Status Solidi (c). 2003. N 6. P. 1710--1731

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.