Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2016, выпуск 21 » Статья стр. 32
<<<>>>
Буферные слои аморфного углерода для отделения свободных пленок нитрида галлия
DOI: 10.21883/pjtf.2016.21.43838.16357
Алтахов А.С. 1, Горбунов Р.И. 2, Кашарина Л.А. 1, Латышев Ф.Е. 3, Тарала В.А. 1, Шретер Ю.Г. 2
1Северо-Кавказский федеральный университет, Ставрополь
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3OOO "НТС", Санкт-Петербург
Email: altakhov@gmail.com, vitaly-tarala@yandex.ru
Поступила в редакцию: 7 июня 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.
PDF версия
Исследована возможность использования пленок аморфного алмазоподобного углерода (diamond-like carbon, DLC) для самоотделения слоев нитрида галлия (GaN), выращенного методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. Пленки DLC были синтезированы методом плазмохимического осаждения при пониженном давлении на подложках сапфира (Al2O3) с кристаллографической ориентацией (0001). Проведены исследования образцов методами комбинационного рассеяния света и рентгеноструктурного анализа. Показано, что тонкие пленки DLC не оказывают существенного влияния на процессы зарождения и роста пленок нитрида галлия. При этом уменьшается прочность границы раздела "пленка GaN-подложка Al2O3", что способствует отделению слоев GaN.
  1. Meyer D.J. et al. // IEEE Electron Device Lett. 2013. V. 34. N 2. P. 199--201
  2. Rahman S.S. et al. // AIP Advanses. 2014. N 4. P. 077119-(1--8)
  3. Dwilinski R. et al. // J. Cryst. Growth. 2010. V. 312. N 18. P. 2499--2502
  4. Bockowski M. et al. //J. Cryst. Growth. 2008. V. 310. N 17. P. 3924--3933
  5. Mori Y. et al. // J. Solid State Sci. Technol. 2013. V. 2. N 8. P. N3068--N3071
  6. Motoki K. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2001. V. 40. P. L140--L143
  7. Miskys C.R. et al. // Phys. Status Solidi (c). 2003. V. 0. N 6. P. 1627--1650
  8. Williams A.D., Moustakas T.D. // J. Cryst. Growth. 2007. V. 300. N 1. P. 37--41
  9. Вороненков В.В. Дис. канд. физ.-мат. наук. 2014. 174 с
  10. Sasaki H. et al. // Phys. Status Solidi (a). 2009. V. 206. N 6. P. 1160--1163
  11. Yoshida T. et al. // J. Crystal Growth. 2008. V. 310. N 1. P. 5--7
  12. Lee Hyun-Jae et al. // Phys. Status Solidi (c). 2009. V. 6. N 2. P. S313--S316
  13. Tae Hoon Seo et al. // Sci. Reports. 2015. N 5. P. 07747-(1--7)
  14. Pecz B. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2015. N 30. P. 114001-(1--6)
  15. Патент 2543212 РФ. Способ выращивания эпитаксиальной пленки нитрида третьей группы на ростовой подложке / Шретер Ю.Г., Ребане Ю., Миронов А.В. 2015
  16. Горбунов Р.И. и др. // 7-я Всерос. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы". Москва, 1-3 февраля 2010. С. 135--136
  17. Ferrari A.C., Robertson J. // Phil. Trans. R. Soc. Lond. A. 2004. P. 2477--2512
  18. Li P.G., Lei M., Tang W.H. // Mater. Lett. 2010. N 64. P. 161--163
  19. Casiraghia C. et al. // Diamond Relat. Mater. 2005. V. 14. P. 1098--1102
  20. Peter S. et al. // Diamond Relat. Mater. 2014. V. 45. P. 43--57
  21. Kaniyoor A., Ramaprabhu S. // AIP Advances. 2012. N 2. P. 032 183-(1--13)
  22. Ferrari A.C. // Solid State Commun. 2007. N 143. P. 47--57
  23. Murugkar S. et al. // J. Appl. Phys. 1995. V. 77. N 11. P. 6042--6043
  24. Haboeck U. et al. // Phys. Status Solidi (c). 2003. N 6. P. 1710--1731

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme