Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Стимулированное светом резистивное переключение в структурах металл--диэлектрик--полупроводник на основе кремния
Тихов C.B.1, Горшков О.Н.1,2, Коряжкина М.Н.1, Антонов И.Н.1,2, Касаткин А.П.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Научно-исследовательский физико-технический институт ННГУ, Нижний Новгород
2Научно-исследовательский физико-технический институт ННГУ, Нижний Новгород
Email: mahavenok@mail.ru
Поступила в редакцию: 3 сентября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.
Стимулированное светом резистивное переключение изучено в МДП-структурах на основе Si, покрытого туннельно-тонким слоем SiO2, на который осаждался нанометровый слой Sb. В качестве диэлектрика в этих структурах использован диоксид циркония, стабилизированный оксидом иттрия.
- Тихов C.B., Горшков О.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 19. С. 18--26
- Mickel P.R., Lohn A.J., Marinella M. J. // Mod. Phys. Lett. B. 2014. V. 28. N 10. P. 1 430 003(1--25)
- Chang K.-M., Tzeng W.-H., Liu K.-C. et al. / Microelectronics Reliability. 2010. V. 50. P. 1931--1934
- Wilk G.D., Wallace R.M., Anthony J.M. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 5243--5275
- Примаченко B.Е. Физика легирования металлами поверхности полупроводников / B.Е. Примаченко, О.В. Снитко. Киев: Наук. думка, 1988. 231 c
- Гриценко В.А. Резистивный флэш элемент памяти: Патент RU 251677 С1. Опубл. 20.05.14. Бюл. N 14
- Тихов C.B., Горшков О.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. В. 23. С. 72--79
- Горшков О.Н., Антонов И.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 3. С. 12--19
- Тихов С.В., Горшков О.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 9. С. 9--16
- Mikhaylov A.N., Belov A.I. et al. // Mater. Sci. Engin. B. 2015. V. 195. С. 48--54
- Эпштейн С.Л. Измерение характеристик конденсаторов. 2-е изд. Л.: Энергия, 1971. 218 с
- Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1984. 252 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
