"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Стимулированное светом резистивное переключение в структурах металл--диэлектрик--полупроводник на основе кремния
Тихов C.B.1, Горшков О.Н.1,2, Коряжкина М.Н.1, Антонов И.Н.1,2, Касаткин А.П.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт ННГУ, Нижний Новгород
Email: mahavenok@mail.ru
Поступила в редакцию: 3 сентября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

Стимулированное светом резистивное переключение изучено в МДП-структурах на основе Si, покрытого туннельно-тонким слоем SiO2, на который осаждался нанометровый слой Sb. В качестве диэлектрика в этих структурах использован диоксид циркония, стабилизированный оксидом иттрия.
  1. Тихов C.B., Горшков О.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 19. С. 18--26
  2. Mickel P.R., Lohn A.J., Marinella M. J. // Mod. Phys. Lett. B. 2014. V. 28. N 10. P. 1 430 003(1--25)
  3. Chang K.-M., Tzeng W.-H., Liu K.-C. et al. / Microelectronics Reliability. 2010. V. 50. P. 1931--1934
  4. Wilk G.D., Wallace R.M., Anthony J.M. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 5243--5275
  5. Примаченко B.Е. Физика легирования металлами поверхности полупроводников / B.Е. Примаченко, О.В. Снитко. Киев: Наук. думка, 1988. 231 c
  6. Гриценко В.А. Резистивный флэш элемент памяти: Патент RU 251677 С1. Опубл. 20.05.14. Бюл. N 14
  7. Тихов C.B., Горшков О.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. В. 23. С. 72--79
  8. Горшков О.Н., Антонов И.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 3. С. 12--19
  9. Тихов С.В., Горшков О.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 9. С. 9--16
  10. Mikhaylov A.N., Belov A.I. et al. // Mater. Sci. Engin. B. 2015. V. 195. С. 48--54
  11. Эпштейн С.Л. Измерение характеристик конденсаторов. 2-е изд. Л.: Энергия, 1971. 218 с
  12. Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1984. 252 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.