Вышедшие номера
Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN : С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода
Лундин В.В.1, Заварин Е.Е.1, Брунков П.Н.1, Яговкина М.А.1, Сахаров А.В.1, Синицын М.А.1, Бер Б.Я.1, Казанцев Д.Ю.1, Цацульников А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: lundin.vpegroup@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

Изучено влияние присутствия пропана в реакторе на различных стадиях процесса эпитаксиального выращивания GaN из металлоорганических соединений на сапфировых подложках как на характер процесса эпитаксиального роста, так и на свойства слоев. Получены эпитаксиальные слои GaN с концентрацией углерода 5· 1018 cm-3, с высоким кристаллическим совершенством, атомарно-гладкой поверхностью и напряжением электрического пробоя более 500 V при толщине легированного слоя 4 mum.