"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN : С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода
Лундин В.В.1, Заварин Е.Е.1, Брунков П.Н.1, Яговкина М.А.1, Сахаров А.В.1, Синицын М.А.1, Бер Б.Я.1, Казанцев Д.Ю.1, Цацульников А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: lundin.vpegroup@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

Изучено влияние присутствия пропана в реакторе на различных стадиях процесса эпитаксиального выращивания GaN из металлоорганических соединений на сапфировых подложках как на характер процесса эпитаксиального роста, так и на свойства слоев. Получены эпитаксиальные слои GaN с концентрацией углерода 5· 1018 cm-3, с высоким кристаллическим совершенством, атомарно-гладкой поверхностью и напряжением электрического пробоя более 500 V при толщине легированного слоя 4 mum.
  1. Weimann N.G., Eastman L.F., Doppalapudi Dh., Ng H.M., Moustakas T.D. // J. Appl. Phys. 1998. V. 83 (7). P. 3656
  2. Hubbard S.M., Zhao G., Pavlidis D., Sutton W., Cho E. // J. Cryst. Growth. 2005. V. 284 (3--4). P. 297
  3. Xu F.J., Xu J., Shen B. et al. // Thin Solid Films. 2008. V. 517. P. 588--591
  4. Rudzinski M., Desmaris V., van Hal P.A. et al. // Phys. Stat. Sol. 2006. V. 3 (6). P. 2231--2236
  5. Wang W.Z., Selvaraj S.L., Win K.T. et al. // J. Electr. Mat. 2015. V. 44 (10). P. 3272
  6. Koleske D.D., Wickenden A.E., Henry R.L., Twigg M.E. // J. Cryst. Growth. 2002. V. 242 (1--2). P. 55
  7. Gamarra P., Lacam C., Tordjman M. et al. // J. Cryst. Growth. 2015. V. 414. P. 232
  8. Li X., Danielsson O., Pedersen H. et al. // J. Vac. Sci. \& Techn. B. 2015. V. 33. P. 021 208

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.