Вышедшие номера
Особенности электронного строения и фазового состава аморфных пленок композитов (SiO2)x(a-Si:H)x-1 по данным рентгеноспектральных исследований
Терехов В.А.1, Паринова Е.В.1, Домашевская Э.П.1, Садчиков А.С.1, Теруков Е.И.2, Сеньковский Б.В.3, Турищев С.Ю.1, Ундалов Ю.К.2
1Воронежский государственный университет
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет
Email: tsu@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 2 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.

Аморфные пленки композитов (SiO2)x(a-Si:H)x-1 были получены с применением плазмы на постоянном токе путем изменения времени включения и выключения ее разряда. Электронное строение и фазовый состав приповерхностных слоев пленок были изучены с применением метода ультрамягкой рентгеновской спектроскопии и спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения с использованием синхротронного излучения. Качественный и полуколичественный анализ фазового состава, проведенный при помощи специальной методики компьютерного моделирования, показал, что содержание кластеров a-Si:H в пленке SiO2 с помощью изменения времени включения плазмы на постоянном токе можно регулировать в широких пределах. Замечено, что появление большого количества нанокластеров кремния в пленке (SiO2)x(a-Si:H)x-1 приводит к аномальному поведению спектров поглощения в результате взаимодействия синхротронного излучения с нанокластерами, размеры которых сопоставимы с длиной волны в области этого края.
  1. Domashevskaya E.P., Golikova O.A., Terekhov V.A., Trostyanskii S.N. // J. Non-Cryst. Solids. 1987. V. 90. P. 135--138
  2. Shulakov A.S. // Cryst. Res. Technol. 1988. V. 23. N 6. P. 835--838
  3. Terekhov V.A., Kashkarov V.M., Turishchev S.Yu., Pankov K.N., Volodin V.A., Efremov M.D., Marin D.V., Cherkov A.G., Goryainov S.V., Korchagin A.I., Cherepkov V.V., Lavrukhin A.V., Fadeev S.N., Salimov R.A., Bardakhanov S.P. // J. Mater. Sci. Eng. B. 2008. V. 147. N 2--3. Р. 222--225
  4. Zatsepin D.A., Kaschieva S., Zier M., Schmidt B., Fitting H.-J. // Phys. Status Solidi A. 2010. V. 207. N 3. P. 743--747
  5. Terekhov V.A., Turishchev S.Yu., Pankov K.N., Zanin I.E., Domashevskaya E.P., Tetelbaum D.I., Mikhailov A.N., Belov A.I., Nikolichev D.E., Zubkov S.Yu. // Surf. Interface Anal. 2010. V. 42. P. 891--896
  6. Турищев С.Ю., Терехов В.А., Нестеров Д.Н., Колтыгина К.Г., Сиваков В.А., Домашевская Э.П. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 7. С. 81--88
  7. Гусев О.Б., Вайнштейн Ю.С., Ундалов Ю.К., Ельцина О.С., Трапезникова И.Н., Теруков Е.И., Сресели О.М. // Письма в ЖЭТФ. 2011. Т. 94. В. 5. С. 402--405
  8. Зимкина Т.М., Фомичев В.А. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия. Л.: ЛГУ, 1971. 132 с
  9. Terekhov V.A., Kashkarov V.M., Manukovskii E.Yu., Schukarev A.V., Domashevskaya E.P. // J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 2001. V. 114--116. P. 895--900
  10. Wiech G., Feldhutter H.-O., Simunek A. // Phys. Rev. B. 1993. V. 47. N 12. P. 6981--6989
  11. Румш М.А., Лукирский А.П., Щемелев В.Н. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1961. Т. 25. N 8. C. 1060
  12. Kasrai M., Lennard W.N., Brunner R.W., Bancroft G.M., Bardwell J.A., Tan K.H. // Appl. Surf. Sci. 1996. V. 99. P. 303--312
  13. Stohr J. NEXAFS spectroscopy. Berlin: Springer, 1996. P. 403
  14. Терехов В.А., Турищев С.Ю., Панков К.Н., Занин И.Е., Домашевская Э.П., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Николичев Д.Е. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2011. N 10. С. 46--55
  15. Terekhov V.A., Tetelbaum D.I., Spirin D.E., Pankov K.N., Mikhailov A.N., Belov A.I., Ershov A.V., Turishchev S.Yu. // J. Synchrotron Rad. 2014. V. 21. P. 209--214

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.