"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности электронного строения и фазового состава аморфных пленок композитов (SiO2)x(a-Si:H)x-1 по данным рентгеноспектральных исследований
Терехов В.А.1, Паринова Е.В.1, Домашевская Э.П.1, Садчиков А.С.1, Теруков Е.И.2, Сеньковский Б.В.3, Турищев С.Ю.1, Ундалов Ю.К.2
1Воронежский государственный университет
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет
Email: tsu@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 2 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.

Аморфные пленки композитов (SiO2)x(a-Si:H)x-1 были получены с применением плазмы на постоянном токе путем изменения времени включения и выключения ее разряда. Электронное строение и фазовый состав приповерхностных слоев пленок были изучены с применением метода ультрамягкой рентгеновской спектроскопии и спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения с использованием синхротронного излучения. Качественный и полуколичественный анализ фазового состава, проведенный при помощи специальной методики компьютерного моделирования, показал, что содержание кластеров a-Si:H в пленке SiO2 с помощью изменения времени включения плазмы на постоянном токе можно регулировать в широких пределах. Замечено, что появление большого количества нанокластеров кремния в пленке (SiO2)x(a-Si:H)x-1 приводит к аномальному поведению спектров поглощения в результате взаимодействия синхротронного излучения с нанокластерами, размеры которых сопоставимы с длиной волны в области этого края.
  • Domashevskaya E.P., Golikova O.A., Terekhov V.A., Trostyanskii S.N. // J. Non-Cryst. Solids. 1987. V. 90. P. 135--138
  • Shulakov A.S. // Cryst. Res. Technol. 1988. V. 23. N 6. P. 835--838
  • Terekhov V.A., Kashkarov V.M., Turishchev S.Yu., Pankov K.N., Volodin V.A., Efremov M.D., Marin D.V., Cherkov A.G., Goryainov S.V., Korchagin A.I., Cherepkov V.V., Lavrukhin A.V., Fadeev S.N., Salimov R.A., Bardakhanov S.P. // J. Mater. Sci. Eng. B. 2008. V. 147. N 2--3. Р. 222--225
  • Zatsepin D.A., Kaschieva S., Zier M., Schmidt B., Fitting H.-J. // Phys. Status Solidi A. 2010. V. 207. N 3. P. 743--747
  • Terekhov V.A., Turishchev S.Yu., Pankov K.N., Zanin I.E., Domashevskaya E.P., Tetelbaum D.I., Mikhailov A.N., Belov A.I., Nikolichev D.E., Zubkov S.Yu. // Surf. Interface Anal. 2010. V. 42. P. 891--896
  • Турищев С.Ю., Терехов В.А., Нестеров Д.Н., Колтыгина К.Г., Сиваков В.А., Домашевская Э.П. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 7. С. 81--88
  • Гусев О.Б., Вайнштейн Ю.С., Ундалов Ю.К., Ельцина О.С., Трапезникова И.Н., Теруков Е.И., Сресели О.М. // Письма в ЖЭТФ. 2011. Т. 94. В. 5. С. 402--405
  • Зимкина Т.М., Фомичев В.А. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия. Л.: ЛГУ, 1971. 132 с
  • Terekhov V.A., Kashkarov V.M., Manukovskii E.Yu., Schukarev A.V., Domashevskaya E.P. // J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 2001. V. 114--116. P. 895--900
  • Wiech G., Feldhutter H.-O., Simunek A. // Phys. Rev. B. 1993. V. 47. N 12. P. 6981--6989
  • Румш М.А., Лукирский А.П., Щемелев В.Н. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1961. Т. 25. N 8. C. 1060
  • Kasrai M., Lennard W.N., Brunner R.W., Bancroft G.M., Bardwell J.A., Tan K.H. // Appl. Surf. Sci. 1996. V. 99. P. 303--312
  • Stohr J. NEXAFS spectroscopy. Berlin: Springer, 1996. P. 403
  • Терехов В.А., Турищев С.Ю., Панков К.Н., Занин И.Е., Домашевская Э.П., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Николичев Д.Е. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2011. N 10. С. 46--55
  • Terekhov V.A., Tetelbaum D.I., Spirin D.E., Pankov K.N., Mikhailov A.N., Belov A.I., Ershov A.V., Turishchev S.Yu. // J. Synchrotron Rad. 2014. V. 21. P. 209--214
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.