Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2015, выпуск 20 » Статья стр. 74
<<<>>>
Влияние содержания алюминия на морфологию поверхности сильнолегированных мезаструктур (Al)GaN, сформированных селективной газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений
Лундин В.В.1,2, Заварин Е.Е.1,2, Попов М.Г.1,2, Трошков С.И.2, Сахаров А.В.1,2, Смирнова И.П.1,2, Кулагина М.М.2, Давыдов В.Ю.2, Смирнов А.Н.2, Цацульников А.Ф.1,2
1НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: lundin.vpegroup@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.
PDF версия
Сильнолегированные кремнием мезаполосковые структуры AlxGa1-xN формировались методом селективной газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. При x~ 0.01-0.07 мезаструктуры AlxGa1-xN:Si имели качественно более гладкую поверхность верхней и боковых граней, чем GaN : Si. При x~ 0.03-0.07 в процессе роста на поверхности маски Si3N4 осаждался тонкий слой нанокристаллического AlN. При меньшем содержании Al этот слой не наблюдался.
  1. Майборода И.О., Андреев А.А., Перминов П.А., Федоров Ю.В., Занавескин М.Л. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 11. С. 80
  2. Zheng Z., Seo H., Pang L., Kim K. // Phys. Status Solidi A. 2011. V. 208 (4). P. 951
  3. Guo J., Li G., Faria F., Cao Yu, Wang R., Verma J., Gao X., Guo Sh., Beam E., Ketterson A., Schuette M., Saunier P., Wistey M., Jena D., Xing H. // IEEE Electron Device Lett. 2012. V. 33 (4). P. 525
  4. Jie H., Ming L., Chak-Wah T., Kei-May L. // Chin. Phys. B. 2014. V. 23 (12). P. 128 102
  5. Rozhavskaya M.M., Lundin W.V., Troshkov S.I., Tsatsulnikov A.F., Dubrovskii V.G. // Phys. Status Solidi A. 2015. V. 212 (4). P. 851
  6. Nam O., Bremser M.D., Zheleva T.S., Davis R.F. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71 (18). P. 2638
  7. Romano L.T., Van de Walle C.G., Ager III J.W., Gotz W., Kern R.S. // Appl. Phys. 2000. V. 87 (11). P. 7745
  8. Лундин В.В., Давыдов Д.В., Заварин Е.Е., Попов М.Г., Сахаров А.В., Яковлев Д.С., Базаревский Д.С., Талалаев Р.А., Цацульников А.Ф., Мизеров М.Н., Устинов В.М. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 5. С. 9
  9. Iwaya M., Iida D., Sugiyama T., Takeuchi T., Kamiyama S., Akasaki I. Activation energy of extremely low-resistivity and high carrier concentration Si-doped Al0.05Ga0.95N / Abstract book of ISGN-5, Atlanta, USA, May 19--22, 2014. P. 37
  10. Kondratyev A.V., Talalaev R.A., Lundin W.V., Sakharov A.V., Tsatsulnikov A.F., Zavarin E.E., Fomin A.V., Sizov D.S. // J. Cryst. Growth. 2004. V. 272. P. 420
  11. Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Синицын М.А., Николаев А.Е., Михайловский Г.А., Брунков П.Н., Гончаров В.В., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю., Цацульников А.Ф. // ФТП. 2009. V. 43 (7). P. 996.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme