Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние облучения ионами H+ и Ne+ на резистивное переключение в мемристивных структурах "металл-диэлектрик-металл" на основе SiOx
Белов А.И.1, Михайлов А.Н.1, Королев Д.С.1, Сергеев В.А.1, Окулич Е.В.1, Антонов И.Н.1, Касаткин А.П.1, Грязнов Е.Г.1,2, Ятманов А.П.2, Горшков О.Н.1, Тетельбаум Д.И.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова, Нижний Новгород
2Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова, Нижний Новгород
Email: tetelbaum@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 5 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.
Для мемристивных структур Au/SiOx/TiN/Ti, полученных методом магнетронного распыления и проявляющих воспроизводимый эффект резистивного переключения, изучено воздействие облучения ионами H+ и Ne+ с энергией 150 keV. Показано, что при облучении H+ состояния с низким и высоким сопротивлением не меняются до дозы 1· 1016 cm-2, а в случае облучения ионами Ne+ - до дозы ~ 3· 1015 cm-2. Полученные результаты демонстрируют высокую стойкость параметров исследуемых мемристивных структур как к ионизирующему, так и к дефектообразующему радиационному воздействию.
- Chua L. // IEEE Trans. Circuit Theory. 1971. V. 18. P 507
- Strukov D.B., Snider G.S., Stewart D.R., Williams R.S. // Nature. 2008. V. 453. P. 80--83
- Sobolev N.A. // Handbook of Self Assembled Semiconductor Nanostructures for Novel Devices in Photonics and Electronics / M. Henini (Ed.). Amsterdam: Elsevier, 2008. P. 392--447
- Tetelbaum D.I., Guseinov D.V., Vasiliev V.K., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Obolensky S.V., Kachemtsev A.N. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2014. V. 326. P. 41
- Lee D., Lee J., Jung S., Kim S., Park J., Biju K.P., Choe M., Lee T., Hwang H. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2011. V. 58. P. 3317--3320
- Butcher B., He X., Huang M., Wang Y., Liu Q., Lv H., Liu M., Wang W. // Nanotechnology. 2010. V. 21. P. 475 206
- Bi J.S., Han Z.S., Zhang E.X., McCurdy M.W. et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2013. V. 60. P. 4540--4546
- Hughart D.R., Lohn A.J., Mickel et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2013. V. 60. P. 4512--4519
- Mikhaylov A.N., Belov A.I., Guseinov D.V. et al. // Mat. Sci. Eng. B. 2015. V. 194. P. 48
- Ziegler J.F., Ziegler M.D., Biersack J.P. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2010. V. 268. P. 1818--1823
- Гуськова О.П., Воротынцев В.М., Фаддеев М.А., Абросимова Н.Д. // Вестник Нижегородского университета. 2013. В. 1. Ч. 1. С. 43--47
- Витовский Н.А. // Радиационная физика кристаллов и p-n-переходов / Под ред. Н.Н. Сирота и др. Минск: Наука и техника, 1972. С. 151--157
- Wang Y., Qian X., Chen K., Fang Z., Li W., Xu J. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 102. P. 042 101
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
