Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Монокристаллические слои GaN/AlN на CVD-алмазе
Хрыкин О.И.1, Дроздов Ю.Н.1, Дроздов М.Н.1, Юнин П.А.1,2, Шашкин В.И.1, Богданов С.А.3, Мучников А.Б.3, Вихарев А.Л.3, Радищев Д.Б.3
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: mab1@appl.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 5 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.
Предложен и экспериментально реализован оригинальный подход по созданию структуры GaN/AlN/нанокристаллический алмаз. Этапы создания такой структуры включают в себя: a - выращивание нанокристаллического CVD-алмаза на монокристаллическом AlN (предварительно выращенном на кремниевой подложке), b - стравливание кремниевой подложки и c - выращивание монокристаллического GaN на поверхности монокристаллического AlN. На подложке из нанокристаллического алмаза получен монокристаллический нитрид галлия с шириной рентгенодифракционной кривой качания отражения (0002) 0.35o.
- Васильев А.Г., Колковский Ю.В., Концевой Ю.А. СВЧ приборы и устройства на широкозонных полупроводниках. М.: Техносфера, 2011
- Федоров Ю. Электроника: НТБ. 2011. Т. 2. С. 92
- Diduck Q., Felbinger J., Eastman L.F. et al. // Electron. Lett. 2009. V. 45. P. 14
- Cho J., Li Z., Bozorg-Grayeli E. et al. // IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology. 3013. V. 3. P. 79
- Felbinger J.G., Chandra M.V.S., Sun Y. et al. // IEEE Electron Device Lett. 2007. V. 28. P. 948
- Via G.D., Felbinger J.G., Blevins J. et al. // Phys. Status Solidi. C. 2014. V. 11. N 3--4. P. 871
- Francis D., Faili D., Babic D. et al. // Diamond Relat. Mater. 2010. V. 19. P. 229
- Хрыкин О.И., Бутин А.В., Гапонова Д.М. и др. // ФТП. 2005. V. 39. P. 21
- Алтухов А.А., Вихарев А.Л., Горбачев А.М. и др. // ФТП. 2011. Т. 45 (3). С. 403
- Духновский М.П., Куликов Е.Н., Ратникова А.К. и др. // Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника. 2013. Т. 3 (518). С. 40.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
