Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Самоформирующиеся латеральные гетероструктуры на основе графена с возможностью модуляции тока на 4-5 порядков
Антонова И.В.1,2, Котин И.А.1, Небогатикова Н.А.1, Принц В.Я.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: nadonebo@gmail.com
Поступила в редакцию: 30 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.
Реализован технологически простой подход к формированию латеральных гетероструктур на основе графена с тонкими потенциальными барьерами. Тонкие потенциальные барьеры возникали на границах доменов исходного графена на начальной стадии его химической модификации. Для формирования барьеров были использованы фторирование и гидрирование графена, а также взаимодействие графена с интеркалированными органическими молекулами. Каналы транзисторов из таких гетероструктур демонстрировали эффективное управление током (4-5 порядков) при изменении напряжения на затворе. Данный подход открывает новые возможности для создания приборных структур электроники и оптоэлектроники.
- Geim K., Grigorieva I.V. // Nature. 2013. V. 499. P. 419
- Britnell L., Gorbachev R.V., Jalil R. et al. // Science. 2012. V. 335. P. 947
- Britnell L., Gorbachev R.V., Jalil R. et al. // Nano lett. 2012. V. 12. P. 1707
- Haigh S.J., Gholinia A., Jalil R. et al. Nature Materials. // 2012. V. 11. P. 764
- Britnell L., Ribeiro R.M., Eckmann A. et al. // Science. 2013. V. 340. P. 1311
- Farmer D.B., Valdes-Garcia A., Dimitrakopoulos C., Avouris P. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 101. P. 143 503
- Lu C.-C., Lin Y.-C., Yeh C.-H. et al. // ACS NANO. 2012. V. 6. P. 4469
- Roy T., Tosun M., Kang J.S. et al. // ACS Nano. 2014. V. 8. P. 6259
- Georgiou T., Jalil R., Belle B.D. et al. // Nat. Nanotechnol. 2013. V. 8. P. 100
- Fiori G., Bruzzone S., Iannaccone G. // IEEE Trans. Elect. Dev. 2013. V. 60. P. 268
- Антонова И.В., Голод С.В., Соотс Р.А. и др. // ФТП. 2014. Т. 48. С. 827
- Nebogatikova N.A., Antonova I.V., Volodin V.A., Prinz V.Y. // Physica. E. 2013. V. 52. P. 106
- Котин И.А., Антонова И.В., Соотс Р.А. и др. // Российские нанотехнологии. Т. 8. С. 26
- Kotin I.A., Antonova I.V., Komonov A.I. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2013. V. 46. P. 285 303
- Logoteta D., Fiori G., Iannaccone G. // Scientific Reports. 2014. V. 4. P. 6607
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
