Вышедшие номера
Самоформирующиеся латеральные гетероструктуры на основе графена с возможностью модуляции тока на 4-5 порядков
Антонова И.В.1,2, Котин И.А.1, Небогатикова Н.А.1, Принц В.Я.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: nadonebo@gmail.com
Поступила в редакцию: 30 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.

Реализован технологически простой подход к формированию латеральных гетероструктур на основе графена с тонкими потенциальными барьерами. Тонкие потенциальные барьеры возникали на границах доменов исходного графена на начальной стадии его химической модификации. Для формирования барьеров были использованы фторирование и гидрирование графена, а также взаимодействие графена с интеркалированными органическими молекулами. Каналы транзисторов из таких гетероструктур демонстрировали эффективное управление током (4-5 порядков) при изменении напряжения на затворе. Данный подход открывает новые возможности для создания приборных структур электроники и оптоэлектроники.