"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Модуляция интенсивности дефектных мод в фотонной структуре с жидкокристаллическим компонентом на основе управляемого светорассеяния
Гуняков В.А.1,2, Крахалев М.Н.1,2, Зырянов В.Я.1,2, Шабанов В.Ф.1,2
1Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Email: gun@iph.krasn.ru
Поступила в редакцию: 4 августа 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.

Представлен метод модуляции интенсивности дефектных мод в мультислойной фотонной структуре с включением жидкого кристалла (ЖК). Метод состоит в использовании режима электроконвективной неустойчивости нематического ЖК, которая приводит к появлению в оптическом отклике чувствительной к типу поляризации рассеивающей моды. Управление интенсивностью дефектных мод происходит за счет изменения угла между исходной планарной ориентацией директора и плоскостью поляризации света, падающего нормально на образец.
  1. Busch K., von Freymann G., Linden S. et al. // Phys. Rep. 2007. V. 444. P. 101--202
  2. Шабанов В.Ф., Ветров С.Я., Шабанов А.В. Оптика реальных фотонных кристаллов. Жидкокристаллические дефекты, неоднородности. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2005. 240 с
  3. Zyryanov V.Ya, Myslivets S.A., Gunyakov V.A. et al. // Opt. Express. 2010. V. 18. P. 1283--1288
  4. Zyryanov V.Ya., Gunyakov V.A., Myslivets S.A. et al. // Mol. Cryst. Liq. Cryst. 2008. V. 488. P. 118--126
  5. Зырянов В.Я., Гуняков В.А., Мысливец С.А. и др. // Российские нанотехнологии. 2008. Т. 3. С. 751--755
  6. Архипкин В.Г., Гуняков В.A., Mысливец С.A. и др. // ЖЭТФ. 2008. Т. 133. С. 447--459
  7. Hsiao Y.-C., Wu C.-Y., Chen C.-H. et al. // Opt. Lett. 2011. V. 36. P. 2632--2634
  8. Bulgakov E.N., Sadreev A.F., Gerasimov V.P. et al. // JOSA. A. 2014. V. 31. P. 264--267
  9. Blinov L.M. Structure and properties of liquid crystals. Dordrecht, Heidelberg, London, New York: Springer, 2011. 439 p
  10. Pattern Formation in Liquid Crystals / Ed. by A. Buka, L. Kramer. New York: Springer, 1996
  11. Penz P.A. // Phys. Rev. Lett. 1970. V. 24. P. 1405--1409
  12. Ribotta R., Joets A. // Phys. Rev. Lett. 1986. V. 56. P. 1595--1597
  13. Carroll T.O. // J. Appl. Phys. 1972. V. 43. P. 767--770
  14. Rudroff S., Frette V., Rehberg I. // Phys. Rev. E. 1999. V. 59. P. 1814--1820
  15. Баранова Н.Б., Зельдович Б.Я. // Письма в ЖЭТФ. 1980. Т. 32. С. 636--638
  16. Дидосян Ю.С. / Патент 2244952 C2 RU. Янв. 20, 2005
  17. Балбашов А.М., Червоненкис А.Я. Магнитные материалы для микроэлектроники. М.: Энергия, 1979. 217 с
  18. Liu A., Jones R., Liao L. et al. // Nature. 2004. V. 427. P. 615--618
  19. Howerton M.M., Moeller R.P., Greenblatt A.S. et al. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2000. V. 12. P. 792--794
  20. Kuo Y.-H., Lee Y.K., Ge Y. et al. // Nature. 2005. V. 437. P. 1334--1336

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.