Модуляция интенсивности дефектных мод в фотонной структуре с жидкокристаллическим компонентом на основе управляемого светорассеяния
Гуняков В.А.1,2, Крахалев М.Н.1,2, Зырянов В.Я.1,2, Шабанов В.Ф.1,2
1Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Email: gun@iph.krasn.ru
Поступила в редакцию: 4 августа 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.
Представлен метод модуляции интенсивности дефектных мод в мультислойной фотонной структуре с включением жидкого кристалла (ЖК). Метод состоит в использовании режима электроконвективной неустойчивости нематического ЖК, которая приводит к появлению в оптическом отклике чувствительной к типу поляризации рассеивающей моды. Управление интенсивностью дефектных мод происходит за счет изменения угла между исходной планарной ориентацией директора и плоскостью поляризации света, падающего нормально на образец.
- Busch K., von Freymann G., Linden S. et al. // Phys. Rep. 2007. V. 444. P. 101--202
- Шабанов В.Ф., Ветров С.Я., Шабанов А.В. Оптика реальных фотонных кристаллов. Жидкокристаллические дефекты, неоднородности. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2005. 240 с
- Zyryanov V.Ya, Myslivets S.A., Gunyakov V.A. et al. // Opt. Express. 2010. V. 18. P. 1283--1288
- Zyryanov V.Ya., Gunyakov V.A., Myslivets S.A. et al. // Mol. Cryst. Liq. Cryst. 2008. V. 488. P. 118--126
- Зырянов В.Я., Гуняков В.А., Мысливец С.А. и др. // Российские нанотехнологии. 2008. Т. 3. С. 751--755
- Архипкин В.Г., Гуняков В.A., Mысливец С.A. и др. // ЖЭТФ. 2008. Т. 133. С. 447--459
- Hsiao Y.-C., Wu C.-Y., Chen C.-H. et al. // Opt. Lett. 2011. V. 36. P. 2632--2634
- Bulgakov E.N., Sadreev A.F., Gerasimov V.P. et al. // JOSA. A. 2014. V. 31. P. 264--267
- Blinov L.M. Structure and properties of liquid crystals. Dordrecht, Heidelberg, London, New York: Springer, 2011. 439 p
- Pattern Formation in Liquid Crystals / Ed. by A. Buka, L. Kramer. New York: Springer, 1996
- Penz P.A. // Phys. Rev. Lett. 1970. V. 24. P. 1405--1409
- Ribotta R., Joets A. // Phys. Rev. Lett. 1986. V. 56. P. 1595--1597
- Carroll T.O. // J. Appl. Phys. 1972. V. 43. P. 767--770
- Rudroff S., Frette V., Rehberg I. // Phys. Rev. E. 1999. V. 59. P. 1814--1820
- Баранова Н.Б., Зельдович Б.Я. // Письма в ЖЭТФ. 1980. Т. 32. С. 636--638
- Дидосян Ю.С. / Патент 2244952 C2 RU. Янв. 20, 2005
- Балбашов А.М., Червоненкис А.Я. Магнитные материалы для микроэлектроники. М.: Энергия, 1979. 217 с
- Liu A., Jones R., Liao L. et al. // Nature. 2004. V. 427. P. 615--618
- Howerton M.M., Moeller R.P., Greenblatt A.S. et al. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2000. V. 12. P. 792--794
- Kuo Y.-H., Lee Y.K., Ge Y. et al. // Nature. 2005. V. 437. P. 1334--1336
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.