Формирование сквозных отверстий в кремниевой подложке
Бучин Э.Ю.1, Денисенко Ю.И.1, Рудаков В.И.1
1Институт микроэлектроники и информатики РАН, Ярославль
Email: imi.buchin@rambler.ru
Поступила в редакцию: 19 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.
Представлен способ, основанный на избирательном электрохимическом травлении p+-областей, сформированных в кремнии n-типа методом термомиграции алюминия. Его особенностью является возможность изготовления сквозных отверстий с поперечным сечением произвольной формы и характерными размерами в диапазоне 20-200 mum.
- Рудаков В.И., Коледов Л.А. // Науч.-техн. сборник "Зарубежная электронная техника". М.: ЦНИИ "Электроника", 1993. С. 27--60
- Schwartz B., Robbins H. // J. Electrochem. Soc. 1976. V. 123 (12). P. 1903--1909
- Zhang X.G., Collins S.D., Smith R.L. // J. Electrochem. Soc. 1989. V. 136 (5). P. 1561--1565
- Мочалов Б.В., Рудаков В.И. // Приборы и техника эксперимента. 1996. N 2. С. 155--157
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук