Влияние толщины окисла на быстродействие полевого транзистора в терминах скорости туннелирующих носителей заряда
Градо-Каффаро М.А.1, Градо-Каффаро М.1
1Sapienza S.L. (scientific consultants), C/Julio Palacios 11, 9-B, Madrid (Spain)
Поступила в редакцию: 11 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.
Вводится параметр, характеризующий изменение скорости туннелирующих через окисел электронов с изменением толщины окисла. Данный параметр может быть привлечен при рассмотрении вопросов быстродействия n-канальных полевых транзисторов с управляющим и плавающим затвором. Проведена оценка введенного характеристического параметра для наиболее актуальных экспериментальных ситуаций.
- Ku J.W., Chao S.C. // Semiconductor Int. May 1997. P. 105--110
- Sze S.M.: Physics of semiconductor devices. Second edition. Wiley, 1981
- Chen I., Holland S., Hu C. // IEEE Trans. Electron Dev. 1985. ED-32. P. 413
- Grado-Caffaro M.A., Grado-Caffaro M. // Act. Pass. Electronic Comp. 1998. V. 20. P. 165--167
- Grado-Caffaro M.A., Grado-Caffaro M. // Act. Pass. Electronic Comp. 1998. V. 21. P. 57--60
- Deal B.E., Snow E.N., Mead C.A. // J. Phys. Chem. Solids. 1966. V. 27. P. 1873
- Grado-Caffaro M.A., Grado-Caffaro M. // Eur. Phys. J. Appl. Phys. 1999. V. 5. P. 1--2
- Mao L.F., Wei J.L., Tan Ch.H., Xu M.Zh. // Solid State Commun. 2000. V. 114. P. 383--387
- Tang J., Hess K. // J. Appl. Phys. 1983. V. 54. P. 5145--5151
- Pavan P., Bez R., Olivo P., Zanoni E. // Proc. IEEE. 1997. V. 85. P. 1255
- Maserjian J., Zamani N. // J. Appl. Phys. 1982. V. 53. P. 559
- Maserjian J. // J. Vac. Sci. Technol. 1974. V. 11. P. 996.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук