Вышедшие номера
Влияние толщины окисла на быстродействие полевого транзистора в терминах скорости туннелирующих носителей заряда
Градо-Каффаро М.А.1, Градо-Каффаро М.1
1Sapienza S.L. (scientific consultants), C/Julio Palacios 11, 9-B, Madrid (Spain)
Поступила в редакцию: 11 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.

Вводится параметр, характеризующий изменение скорости туннелирующих через окисел электронов с изменением толщины окисла. Данный параметр может быть привлечен при рассмотрении вопросов быстродействия n-канальных полевых транзисторов с управляющим и плавающим затвором. Проведена оценка введенного характеристического параметра для наиболее актуальных экспериментальных ситуаций.