Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Отрицательное дифференциальное сопротивление обратносмещенного полупроводникового диода с неоднородной базовой областью
1Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина 
Email: sokol@iap.franko.lviv.ua
Поступила в редакцию: 18 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.
Теоретически предсказывается возможность возникновения участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением (ОДС) на обратной ветви ВАХ полупроводникового диода с широкозонным слоем в базовой области. Формирование ОДС связано с уменьшением при росте обратного смещения тепловой генерации носителей в узкозонной части базы с толщиной порядка дебаевской длины экранирования. Показано, что ОДС реализуется в случае, когда время жизни носителей в базовой области определяется Оже-процессами.
- Соколовский Б.С. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. В. 7. С. 51--56
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Т. 1. 455 с
- Булярский С.В., Грушко Н.С., Сомов А.И., Лакалин А.В. // ФТП. 1997. Т. 31. В. 9. С. 1146--1150
- Блекмор Дж.С. Статистика электронов в полупроводниках. М.: Мир, 1964. 392 с
- Rogalski A., Ciupa R. // J. Appl. Phys. 1995. V. 77. N 7. P. 3505--3512
- Барышев Н.С., Гельмонт Б.Л., Имбрагимова М.И. // ФТП. 1990. Т. 24. В. 2. С. 209--224
- Физика соединений AIIBVI / Под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейкмана. М.: Мир, 1986. 320 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
