"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Отрицательное дифференциальное сопротивление обратносмещенного полупроводникового диода с неоднородной базовой областью
Соколовский Б.С.1
1Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
Email: sokol@iap.franko.lviv.ua
Поступила в редакцию: 18 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.

Теоретически предсказывается возможность возникновения участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением (ОДС) на обратной ветви ВАХ полупроводникового диода с широкозонным слоем в базовой области. Формирование ОДС связано с уменьшением при росте обратного смещения тепловой генерации носителей в узкозонной части базы с толщиной порядка дебаевской длины экранирования. Показано, что ОДС реализуется в случае, когда время жизни носителей в базовой области определяется Оже-процессами.
  1. Соколовский Б.С. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. В. 7. С. 51--56
  2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Т. 1. 455 с
  3. Булярский С.В., Грушко Н.С., Сомов А.И., Лакалин А.В. // ФТП. 1997. Т. 31. В. 9. С. 1146--1150
  4. Блекмор Дж.С. Статистика электронов в полупроводниках. М.: Мир, 1964. 392 с
  5. Rogalski A., Ciupa R. // J. Appl. Phys. 1995. V. 77. N 7. P. 3505--3512
  6. Барышев Н.С., Гельмонт Б.Л., Имбрагимова М.И. // ФТП. 1990. Т. 24. В. 2. С. 209--224
  7. Физика соединений AIIBVI / Под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейкмана. М.: Мир, 1986. 320 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.