"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Получение эпитаксиальных слоев твердого раствора (Sn2)1-x(InSb)x из жидкой фазы
Саидов А.С.1, Раззаков А.Ш.1, Сапаров Д.В.1
1Физико-технический институт НПО "Физика--Солнце" АН РУз, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 14 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2002 г.

Эпитаксиальные слои твердых растворов (Sn2)1-x(InSb)x были выращены из индиевого раствора-расплава, ограниченного горизонтально расположенными подложками GaAs при температурном интервале 325-200oC. Изучением растровых картин и дифракционных спектров гетероструктур GaAs-(Sn2)1-x(InSb)x показано, что кристаллическое совершенство указанных структур зависит от подбора условий жидкофазной эпитаксии.
  • Алферов Ж.И., Жингарев М.З., Конников С.Г. и др. // ФТП. 1982. Т. 16. N 5. С. 831
  • Саидов М.С., Саидов А.С., Кошчанов Э.А., Раззаков А.Ш. // Докл. РАН. 1998. Т. 359. N 2. С. 188--189
  • Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. T. II. М.: Металлургиздат, 1962. С. 910--915
  • Саидов А.С., Кошчанов Э.А., Раззаков А.Ш. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. В. 2. С. 12--16
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.