Облучение рентгеновским излучением планарно-диффузионных симисторных структур как метод повышения магниточувствительности
Воронцов С.И.1, Бакланов С.Б.1, Гурин Н.Т.1, Новиков С.Г.1
1Ульяновский государственный университет
Email: svast@sv.ulsu.ru
Поступила в редакцию: 26 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.
Предложен метод повышения магниточувствительности (MЧ) планарно-диффузионных симисторов (ПДС) посредством облучения структур рентгеновским излучением. Показано, что наряду с облучением повышение МЧ свойств также осуществляется внесением поверхностных дефектов механическим путем. Исследованы процессы и механизмы, влияющие на повышение указанных свойств в условиях действия ряда гальваномагнитных эффектов.
- Стафеев В.И., Каракушан Э.И. Магнитодиоды. Новые полупроводниковые приборы с высокой чувствительностью к магнитному полю. М.: Наука, 1975. С. 216
- Патент РФ N 2022412. Фотосимистор на основе полупроводниковой структуры / Бакланов С.Б., Гайтан В.В., Гурин Н.Т. // Б.И. 1994. N 20
- Воронцов С.И., Бакланов С.Б., Новиков С.Г. и др. // Уч. зап. УлГУ. Сер. физ. 2000. В. 2(9). С. 86--91
- Гурин Н.Т., Бакланов С.Б., Новиков С.Г. и др. // ПЖТФ. 2000. Т. 27. В. 8. С. 53--57
- Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы. М.: Радио и связь, 1983. С. 104
- Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М.: Энергоатомиздат, 1988. С. 256
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук