Селективные и широкополосные ультрафиолетовые сенсоры
Комащенко В.Н.1, Колежук К.В.1, Венгер Е.Ф.1, Шереметова Г.И.1, Мищук О.А.1, Комащенко А.В.1
1Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев УкрНИИ нефтеперерабатывающей промышленности "МАСМА", Киев
Email: komag@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 15 мая 2002 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.
Показана возможность конструирования тонкопленочных фотоэлектрических приборов на основе широкозонных соединений AIIBVI, выращенных на узкозонной квазимонокристаллической подложке. При этом потенциальный барьер Delta Ev на межфазной поверхности многослойной гетероструктуры блокирует вклад узкозонной компоненты в общий фототок. Впервые разработаны без использования дополнительных фильтров селективные и широкополосные сенсоры ультрафиолетового диапазона.
- Ohtomo A., Kawasaki M., Koida T. et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. N 19. P. 2466--2468
- Yang W., Vispute R.D., Choopun S. et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 78. N 18. P. 2787--2789
- Ando K., Ishikura H., Fukunaga Y. et al. // Phys. Stat. Sol. (b). 2002. V. 229. N 2. P. 1065--1071
- Комащенко А.В., Колежук К.В., Горбик П.П. и др. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. В. 5. С. 1--6
- Alferov J.I. // Semiconductors. 1998. V. 32. N 1. P. 3--18
- Венгер Е.Ф., Колежук К.В., Комащенко В.Н. и др. // Допов-3pt1д-3pt1 Нац-3pt1онально-3pt1 академ-3pt1-3pt1 наук Укра-3pt1ни. 2002. N 2. С. 82--86
- Колежук К.В., Комащенко В.Н., Шереметова Г.И. и др. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Киев: Наукова думка, 2001. В. 36. С. 212--217
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
