Методом атомно-силовой микроскопии изучались начальные стадии роста GaN слоя на оксидированной кремниевой подложке. Рост осуществлялся методом HVPE при температуре 520^oC. Установлено: a) рост островков GaN контролируется поверхностной диффузией; б) распределение зародышей по размерам на поверхности существенно меняется при изменении времени роста от 10 до 200 минут, средний размер увеличивается от 15 до 400 nm, а разброс по размерам возрастает в 20 раз. Показано, что экспериментально определенная скорость роста зародышей и функция распределения их по размерам находятся в хорошем согласии с теорией роста GaN на начальных стадиях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.