К свойствам радиационного дефекта, ответственного за полосу ИК-поглощения 1.0 eV в арсениде галлия
Джибути З.В.1, Долидзе Н.Д.1
1Тбилисский государственный университет им. И. Джавахишвили
Поступила в редакцию: 29 марта 2001 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2001 г.
Измерены спектры поглощения при температуре 77oC образцов GaAs n-типа, легированных теллуром и облученных потоком электронов E=3 MeV. Показано, что существуют две полосы поглощения в инфракрасной области: 1.0 и 0.80 eV.
- Браиловский Е.Ю., Брудный В.Н., Кривов М.А., Редько В.Б. // ФТП. 1972. Т. 6. В. 10. С. 2075--2077
- Брудный В.Н., Браиловский Е.Ю., Кривов М.А., Редько В.Б. // Изв. вузов. СССР, Физика. 1974. N 10. C. 118--121
- Брудный В.Н., Гроза А.А., Кривов М.А. // Изв. вузов СССР, Физика. 1982. В. 4. С. 101--103
- Арефьев К.П., Брудный В.Н., Будницкий Д.Л., Воробьев С.А., Цой А.А. // ФТП. 1979. Т. 13. В. 6. С. 1142--1146
- Памбухчян Н.Х. Исследование процессов образования и отжига точечных радиационных дефектов в кристаллах A3B5, облученных быстрыми электронами. Канд. дисс. Киев--Ереван, 1983. 157 c
- Джибути З.В., Долидзе Н.Д., Офенгейм Г.Л., Рехвиашвили Д.Н., Чолокашвили Т.С. // ФТП. 1987. Т. 21. В. 5. С. 930--932
- Джибути З.В. Исследования свойств радиационных дефектов в GaAs и механизмы их лазерного отжига. Канд. дисс. Тбилиси, 1989. 169 с
- Джибути З.В., Долидзе Н.Д. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 17. В. 5. С. 41--44
- Джибути З.В., Долидзе Н.Д. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. В. 17. С. 76--80
- Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Москва: Физматгиз, 1963
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук